第8讲信息材料技术报告.pptVIP

一、信息功能材料 一、信息时代的信息功能材料仍 是最活跃的领域 信息功能材料 是指信息获取、传输、转换、 存储、 显示或控制所需材料。 半导体材料 (1) 以硅为基础的微电子技术仍将占十分重要位置。芯片特征尺寸以每三年缩小 计, 到2010年可能到极限(0.07μm)（量子效应、磁场及热效应、制作困难、投资大）。 但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量存在，并将有所发展。 * 在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOn Insulator) :功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。 * 集成系统（IS，Integrated System)：在单个芯片上完成整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片 (System on a Chip)。 * 集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE，LPE，MOCVD 及 MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。 表1 集成电路发展对材料质量的要求 首批产品出现年代 1999 2002 2005 2008 工艺水平（ ?m) 0.18 0.13 0.10 0.07 DRAM 256 M 1 G 4 G 16 G 硅片直径 (mm) 200 300 300 450 表面关键杂质 (At / cm 2) (10 9) ? 13 ? 7.5 ? 5 ? 2.5 局部平坦度（nm) ? 180 ? 130 ? 100 ? 100 光散射缺陷(个/ cm2) ? 0.29 ? 0.14 ? 0.06 ? 0.03 (2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAs 电子迁移率是Si的6倍（高速），禁带宽（高温）广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、耐高温、抗辐射器件。 GaAs用于集成电路其处理容量大100倍，能力强10倍，抗辐射能力强2个量级，是携带电话的主要材料。InP 的性能比 GaAs 性能更优越，用于光纤通讯、微波、毫米波器件。 （3）第三代半导体材料是禁带更宽的SiC、GaN及金刚石。 （4）下一代集成电路的探索 光集成 原子操纵 光电子材料 21世纪光电子材料将得到更大发展 电子质量：10-31 Kg / 电子 电子运动：磁场、电阻热、电磁干扰、光高速传输（容量大、损耗低、高速、不受电磁 干扰、省材料） 光电子材料包括： （1） 激光材料（20世纪60年代初） 激光：高亮度、单色、高方向性 红宝石（Cr+++:Al2O3 （2） 非线性光学晶体（变频晶体） KDP（磷酸二氢钾）、KTP（磷酸钛氢钾） LBO（三硼酸锂）… （3）红外探测材料（军用为主） HgCdTe、 InSb、 CdZnTe、 CdTe （4）半导体光电子材料，见表2 表2 主要化合物半导体及其用途 领域 材 料 器 件 用 途 微电子 GaAs、InP 超高速 IC 电脑 GaAs FET 携带电话 光电子 GaAs InP Sb InAs LD 光通讯 GaAs 红外 LED 遥控耦合器 GaP、GaAs、GaAsP、GaAlAs、InGaAlP LEP 出外显示器 CdTe、CdZnTe、HgCdTe — 热成像仪 InSb、CdTe、HgCdTe、PbS、PbZnTe — 红外探测器 GaAs、InP、GaSb — 太阳能电池 （5）显示材料 发光二级管（LED）如表 3 发 光 尺 衬 底 发光颜色 波长（nm) Ga0.65Al0.35As GaAs 红 660 GaAs0.35P0.65(N) GaP 红 650 GaAs0.1P0.9(N) GaP 橙 610 GaAs0.1P0.9(N) GaP 黄 583 GaP Gap 绿 555 GaN Α-Al2O3 蓝 490 SiC SiC 蓝 480(全包显示屏) 液晶显示(LCD)材料(1968年发明)为21世纪上半叶主要显示材料 表3 LED 发光材料及可见光区 表4 光纤发