第11章金属化技术报告.ppt

第十一章 金属化 关键术语和概念 互连（Interconnection）：指由导电材料，如铝，多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。 接触（Contact）：硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。 通孔（Via）：穿过各种介质层，从某一层金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口。 填充薄膜：指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层间形成电连接。 多层金属化 多层铜互连 11.1 金属类型 硅与常用金属化材料性质对比 (at 20°C) 铝互连 结穿通 电迁移（EM，Electromigration）： 在导电材料中通过大电流密度的情形下，电子和材料原子碰撞，产生动量传递，称为电子风。电子风引起金属原子逐渐移动，原子的移动导致原子在导体负极的损耗。这样，在金属连线上就会出现空洞和小丘。空洞会使连线减薄甚至断路，小丘会使连线间发生短路。 电子风作用模型与效果 电迁移效应导致的孔洞和凸起物 平均失效时间（MTF） 电迁移引起的一个半导体失效的平均时间（MTF）可以与电流密度J和激活能Ea联系起来： 实验表明，对于淀积的铝膜，Ea约为0.5eV，铝单晶自扩散的特征激活能约为1.4eV。 用于铜互连结构的阻挡层 铜阻挡层金属需要满足的条件 硅接触上的难熔金属硅化物 多晶硅上的多晶硅化物 自对准金属硅化物的形成 硅化物由TiSi2向NiSi的转变 多层金属的钨填充塞 IC中的钨塞 钨CVD 很好的台阶覆盖性和间隙填充，特别是高深宽比通孔的填充。 良好的抗电迁移特性。 WF6（气体）＋3H2（气体）——W＋6HF（气体） 具有Ti/TiN 阻挡层金属的垫膜钨CVD 铜CVD 2 Cu1＋（hfac）(TMVS)（气体）→Cu0（固体）＋Cu2＋(hfac)(气体）＋2TMVS（气体） Cu （hfac）2（气体）＋H2（气体）——Cu0（固体）＋2H（hfac）（气体） 电镀铜原理示意图 电镀设备实物图 选择电镀铜工艺的原因 具有良好的台阶覆盖（step coverage）和孔隙填充（trench filling）性能。 与低K介质兼容。 与其他工艺相比，产生的铜晶粒更大。 PVD(溅射)和电镀铜的孔隙填充能力对比 电镀铜的孔隙填充过程 电镀铜的孔隙填充 电迁移效应对比：CVD和电镀铜 晶粒边界散射 【附】Intel Strained Silicon for 65nm Tech Intel Strained Silicon Tech 11.3 金属化方案 11.3.2 铜大马士革结构 半导体产业正在实现用铜作为微芯片的互连材料。因为铜不适合用于干法刻蚀，传统工艺流程不采用铜金属化。 为了最大限度的减小铜扩散到硅中，铜也有它自己的特殊要求。为了形成铜互连金属线，应用双大马士革方法以避免铜的刻蚀。在大马士革过程中，不再需要金属刻蚀确定线宽和间隙，而需要介质刻蚀。 传统金属化 vs. 大马士革法 工艺线直击——金属化 【附】：碳纳米管：诱人的互连替代技术 铜互联的局限性：随着铜导线宽度的减小，铜的电阻率相对于其体材料值显著上升；更细的导线会导致电迁移的可能性变大。 碳纳米管（Carbon Nano Tube，CNT）将在未来的芯片互连制造中扮演重要的角色。 CNT具有许多独特的性能，包括负载超过109 A/cm2的高密度电流的能力，这比常规导线约高三个数量级；超高的热传导率，以及非常好的机械强度，而且还不会发生电迁移。 CNT生长工艺 石英管熔炉中化学气相淀积。 首先在Si衬底上热氧化生长500nm的SiO2以用于CNT束的生长；接着在表面用Ti/Au薄膜制备选择性掩膜；然后在800℃下将衬底暴露在二茂络铁（催化剂）和二甲苯（碳源）的混合蒸汽中。 在SiO2表面上会生长出垂直排列的CNT，而在Au/Ti表面上则不会，这样Au/Ti图案就可以定义出CNT束所需的形状。 纳米碳管致密化 然后将刚生成的CNT束浸入异丙醇（IPA）中。在室温和大气条件下，IPA溶剂会逐渐蒸发而变干。IPA的蒸发会使液面高度逐步降低，这相当于从液体浴中慢慢提起CNT束。由于毛细管作用力的影响，CNT会彼此靠近，并在范德华力的作用下相互粘结。 致密化前后的纳米碳管SEM 小结 金属化的术语和概念。 互连常用金属类型。 互连工艺对金属材料的要求。 铝的电迁移效应。 铜应用于互连技术的优点，铜电铸工艺。 双大马士革工艺。 Test 列出二氧化硅在芯片制造工艺中的用途。 列出工艺中薄膜应该具有的8个特性。 双大马士革方法： 对铜金属化应用大马士革法最重要的原因是避免Cu刻蚀。大马士革处理方法的第二个优点是在刻蚀好的金属线之间不再需要填充介质间隙，