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体相原子 表面原子 悬空键 悬空键的存在，导致表面原子偏离正常位置，并影响邻近的几层原子，造成点阵畸变，使其能量高于晶体内部。 表面悬空键对晶体的影响： * 晶体表面单位面积能量的增加。 （比）表面能： 表面能具有各向异性吗？原因？ 体相原子 表面原子 悬空键 * 表面具有易吸附性 体相原子 表面原子 悬空键 纳米材料 催化… 团聚? * 3.4.2 晶界 晶体结构相同 空间取向不同 晶界两侧晶粒关系: * 一.晶界的结构 根据相邻晶粒的位向差，分为 小角度晶界 大角度晶界 共格界面 (特殊) * 小角度晶界基本上由一系列刃位错组成。 1. 小角度晶界 θ 小角度晶界示意图 相邻晶粒位向差θ很小，一般小于10? 。 结构： 晶界中位错排列越密，则位向差愈大。 特点： * 相邻晶粒位向差较大，一般大于10?。 2. 大角度晶界 大角度晶界示意图 不能用位错模型，关于大角度晶界的结构说法不一。 结构及特点： 晶界可视为2—3(5)个原子的过渡层。 * 晶界部分的原子排列尽管有其规律，但排列复杂，暂以相对无序来理解。 * 共格界面 有轻微错配的共格界面 MgO中(310)挛生面形成的取向差为36.8°的共格晶界 共格孪晶界与非共格孪晶界 界面上两侧晶体的某晶面具有相同的原子排列，例如同一族的不同晶面。 * 晶界上的原子同时位于两个晶体点阵的结点上，为两部分所共有，这种形式的界面称为共格界面。 共格孪晶界与非共格孪晶界 * 铜合金中的孪晶 * 与正常晶体内部相比，晶界处的原子 排列紊乱，使能量增高，产生晶界能。 界面能与结构的关系： 二.晶界能 * 设想滑移过程并非是原子面之间整体的发生相对位移，而是一部分先发生位移，然后推动晶体中另一部分滑移，循序渐进。 晶体在大于屈服值的切应力 作用下，以ABCD面为滑移面发生滑移。 EFGH面左侧已发生了相对滑移，右侧尚未滑移。EFGH相当于终止在晶体内部的半个原子面， 在晶体右端施加一切应力，使晶体的上半部分发生局部滑移。 位错周围的所有原子，都不同程度的偏离其平衡位置。离位错中心越远的原子，偏离量越小。通过柏氏回路将这些畸变叠加起来，畸变总量的大小和方向便可由柏氏矢量表示出来。 右手大拇指指位错正方向，回路方向按右手螺旋方向确定。 步数，方向与上述回路一致。 不同的晶向与晶面，原子排列的疏密程度不同，所以位于不同晶向与晶面的位错，其位错宽度和位错特性也不同，因而其运动情况也不相同。 ，所以 位错攀移时伴随着物质的迁移，需要扩散才能实现，也因此比滑移需要更大的能量，需要热激活。 由于表面是原子排列的终止面，另一侧无固体中原子的键合，其配位数少于晶体内部，有一些空悬的化学键。 * 表面能又称为表面能系数。由于表面能来源于形成表面时所破坏的结合键，不同的晶面为外表面时，所破坏的结合键数目不等，故表面能具有各向异性。一般外表面通常是表面能低的密排面，如对于体心立方的{100}表面能最低。 * 可分为物理吸附和化学吸附 * * 《无机材料科学基础》P110 位错越密集，意味着晶界处原子的错排程度越大，混乱度越差，说明两边的晶粒位相相差越大。 1对称倾斜晶界，2非对称倾斜晶界，3扭转晶界 * 共格界面两侧的晶体应处于某些特定角度。 * 3.3 线缺陷 位错 晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。 用于解释晶体的塑性变形。 位错的提出： * τm=104~105 MPa 实际金属单晶： 切变强度值间的巨大差异，使人们认识到: 一般金属 理论切变强度： 1~10 MPa 晶体的滑移也并非刚性同步 实际晶体结构并非理想完整 * τ τ τ 1934年 Taylor、Polanyi、Orowan三人几乎同时提出晶体中位错的模型。 * 2. 相比于刚性滑移，小距离的弹性偏移 容易实现。 实测临界切应力低的原因？ 位错附近的原子因错排而能量较高，容易运动； * 透射电镜下观察到的位错线 1956年，晶体错位被实验观察所证实， 位错理论得到广泛接受。 * 3.3.2 位错的类型及性质 根据原子的滑移方向和位错线取向的几何特征，位错可分为： 刃位错 螺位错 混合位错 一、位错的类型 * 刃型位错 （edge dislocation） 滑移面：ABCD 半原子面：EFGH 位错线：EF * EF线犹如砍入晶体的一把刀的刀刃 EF, 晶体已滑移部分和未滑移部分的交线 位错线: 刃位错: * （1）正刃型位错: 分类： 半原子面在滑移面上方. 用 “┴” 表示 * 半个原子面在滑移面下方. （2）负刃型位错: 用 “┬”表示。 * 2. 螺型位错 A B C D BC线以右为已滑移区，以左为未滑移区。 * 螺形位错 示意图