电子镇流荧光灯与三极管的几点认识技术报告.ppt

电子镇流荧光灯与三极管的几点认识 深圳深爱半导体有限公司 叶文浩 目录 1、避免三极管损坏的几点认识（三极管能做多大规格的灯，仍然很可靠） 2、半桥逆变电路原理分析探讨 避免三极管损坏的几点认识 电压指标够用就行，电流特性是用户最有使用价值的指标。(110V低电压系列也是这一思想的产物） 自感电势反峰电压在导通管上泄放 半桥逆变电路电感负载产生的自感电势反峰电压是加在导通管上泄放的。 实际使用的不是Bvceo Bvcer一般要大于Bvceo（用触发管DB3） BVceo=400V已被广泛接受，380-400V的很好用 BVcbo=500V的13001也被广泛接受 最终损坏是功率击穿 最终损坏是功率击穿，超过功率容限(SOA) （25℃） 三极管的功率容限随着温度上升而下降的必须控制三极管的发热 在开关工作状态下，晶体三极管上消耗的功率由以下三部分组成： WOFF=VCE×I漏 WON=VCES×IC W过渡=ΣVt×It×△t/t(∫0t Vt It dt/t） 变化范围比较大 ——控制发热 最终损坏是功率击穿 1、稳态工作的左右两个交叉（三极管VCE、IC） 2、启辉过程的功率冲击 1-1、影响右（电流下降）交叉的因素 ①三极管的tf ②基极驱动的强弱 （结合抗饱和三极管功能讲） 抗过饱和电路的作用 在驱动弱(60ma)时发热不大13003 与 13003D（IB、VCE） 在驱动弱时发热不大（IC、VCE） 13003 与 13003D(360ma) 13003D的作用也不大 驱动强(120ma) 13003 与 13003D （IB、VCE） 驱动强(120ma) （IC、VCE） 13003 与 13003D(360ma) 13003D的作用明显 抗过饱和电路的作用 128D 交叉小发热低 13005交叉大发热高 三极管“瞬态冷爆”--对策 除了电流下降交叉发热，后几年“瞬态冷爆”成为主要问题 对策：合理的三极管基极驱动；适当的工作频率；理想的启辉过程——和谐工作状态 抗过驱动带D系列-和谐的硬件保障 深爱的抗过驱动带D系列产品带有有源抗饱和网络。在线路的基极驱动加强的情况下，也不会出现深饱和，避免因过驱动烧管；电路驱动不足时，能将分流的驱动电流回到NPN管，使其不会进入放大区而瞬时爆管。 深爱抗过饱和电路—和谐的硬件保障 NPN管饱和导通，基极驱动电压趋向高于VBE(PNP)+Vces (NPN）时，PNP管导通，将基极驱动电流分流，使NPN晶体管不会出现深饱和；当外电路驱动电流减弱时，仅减小分流电流，不影响NPN管饱和导通 深爱抗过饱和电路—硬件保障 大大简化晶体管驱动电路的设计 对低温（-10℃）启动要求驱动强，但高温不过驱动烧管很有效 自动适应环境的偏离、参数的离散带来的问题。提高大批量生产的工艺宽容度。 大于25W的双泵电路 深爱抗过饱和电路的自动调节作用对大于25W的双泵电路具有很好的补偿作用 抗过饱和电路使用注意事项 使用时不要再外接续流保护二极管 线路基极驱动应该比较强，保证不出现基极驱动不足，但是也不能太强，超过PNP管可以控制的范围 抗过饱和电路任重道远 抗过饱和电路无论是应用方面还是三极管产品设计和工艺控制方面都还有很多工作要做——任重而道远 CE二极管的作用 电压够用就行的硬件保障，自感电势反峰电压在导通管上泄放 二极管涨价 由于二极管涨价(三-五分钱以上），在小规格产品中，内置二极管已经成为市场选择BLD系列的重要因素； 不加 CE二极管电流波形（毛刺） 上管不加CE二极管4007 ，下管三极管VCE、IC 另一个引起发热的功率交叉 不加CE二极管 ，VCE、Ic （毛刺）（分析）-泄放不畅 C3充放电结束，下管三极管 已经关闭，上管BE、CE无二 极管，开通时电感内的电流 继续通过上管磁环次级绕组 、RB、上管bc结（成为上管的负电流）；当ce电压比较高的时候，电感内的能量大，“上管磁环次级绕组、RB、上管bc结”这条通道不够通畅，只能把下管三极管再次打通； 加CE二极管（无毛刺） 有泄放后无毛刺 CE二极管电流波形1N4007 流过上管CE二极管4007的电流 CE二极管1N4007和FR107 电流波形 反向恢复时间 上管CE二极管用4007有反向恢复时间，这时上管是通过“上管磁环次级绕组、RB、上管bc结” 的负电流，这个反向恢复电流是从上到下，相当于三极管的正向电流。这时下管三极管已经关闭，只能说是抵消了一部分通过“上管磁环次级绕组、RB、上管bc结” 的负电流