第2章电力电子装置的共性技术-s要点解读.ppt

缓冲电阻选择 RC时间常数 放电电流 功耗 * 电力电子装置及系统 缓冲二极管选择 快恢复 瞬时电流 耐压 * 电力电子装置及系统 2.7 电力电子装置热设计 开关损耗转化为热能，会导致电力电子芯片内部结温上升，从而影响器件性能 散热方式主要有热传导、热辐射、热对流三种，散热设计就是采用合适的方式把器件内部的热能传导并散发出去，限制结温上升 1 综述 * 2.7 电力电子装置热设计 热传导过程可以用象电路图一样的方式描述，如下图 2 热传导过程 * 2.7 电力电子装置热设计 按照上图可以得出损耗与温升的关系： 散热设计的过程就是：根据计算得到的功率器件最大总损耗，计算所要选择的散热器的热阻，从而根据散热器手册选择相应的器件。 2 热设计过程 * 散热器 * 电力电子装置及系统 2.7 电力电子装置热设计 为了提高装置的整体效率，必需降低器件在工作过程中的总损耗散热措施只能降低结温却不能降低损耗。因此，以下措施是今后电力电子装置设计中需要注意的： 采用软开关、缓冲电路减小器件的损耗； 选用有效散热面积大的散热器； 器件与散热器充分接触，良好导热； 风道的设计，将散热器的热量迅速的带出去； 4 降低损耗措施 * * 当PN结处于正偏时R为正向电阻，其值很小，结电容C很大；(主要决定于扩散电容CD) 正偏时：少子浓度变化导致电容变化，因此电容较大 当PN结处于反偏时R为反向电阻，其值很大，结电容C很小。(主要决定于势垒电容CB) 反偏时：势垒宽度变化引起势垒电容，电容量较小 * * V1关断后，V2未开，VD2导通续流。Io降低到0后，VD2截止，V2导通，电流反向。 * 上下管互补导通 * 二极管的开通也有一个过程，开通初期出现较高的瞬态压降，经过一定时间后才能处于稳定状态，并具有很小的管压降。这就是说，二极管开通初期呈现出明显的“电感效应”，不能立即响应正向电流的变化。 开通时二极管呈现的电感效应，除了器件内部机理的原因之外，还与引线长度、器件封装采用的磁性材料等因素有关。电感效应对电流的变化率最敏感，因此开通时二极管电流的上升率dIF/dt越大，峰值电压UFP就越高，正向恢复时间也越长。 * 当PN结上流过的正向电流较大时，由P区注入并积累在低参杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体的电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导大大增加，这就是电导调制效应。使得电力二极管在正向电流较大时压降仍然很低。 * Trr,反向恢复时间 复合载流子：由大注入的少子感应出的多子载流子 * * 增大外电路电感-减小UR * * 加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。?为抑制dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R—C阻容吸收回路。 Ig=0时，正向电压超过临界值，器件也能开通 * 延迟时间Td=0.5-1us 上升时间tr=0.5-3us * * 其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P型体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，在额定集电极电流 范围内，这个偏压很小，不足以使J3开通，然而一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，导致集电极电流增大，造成器件功耗过高而损坏。这种电 流失控的现象，就像普通晶闸管被触发以后，即使撤销触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。 动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快，dvCE/dt很大，引起较大位移电流，流过Rs，产生足以使NPN晶体管开通的正向偏置电压，造成寄生晶闸管自锁。 * 动态特性:开关时间和开关损耗 * 交换过程：开通/关断过程 * 更低的电感 * * * * 2.3 大功率电力电子器件串并联 并联技术 在串联时，各个器件承受的电压一致，但是以下因素可能导致各个器件电流不一致。 开关速度以及特性不一致，可能导致有些开通慢且门槛电压高的器件无法导通 主电路布局不合理 1 晶闸管串并联 * 2.3 大功率电力电子器件串并联 并联时可以采用以下均流措施： 合理的主电路布局，保证各个支路的阻抗特性一致 选择在较大电流范围内静态伏安特性一致的器件 每个支路串联电阻，但是这样会导致附加损耗 开通强触发电流，保证器件尽可能短的时间内开通 1 晶闸管串并联 * 2.3 大功率电力电子器件串并联 并联技术 在并联时，各个IGBT承受的电压一致，但是以下因素可能导致各个器件电流不一致。目前一