第1章电力电子器件概述要点解读.pptVIP

电力电子器件概述 1.1 电力电子器件概述 1.2 电力电子器件的驱动 1.3 电力电子器件的保护 1.4 电力电子器件的串联和并联使用 本章小结 电力电子器件概述 电力电子器件的概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 典型全控型器件 1.1.5 其他新型电力电子器件 电力电子器件的概念和特征 电力电子电路的基础 —— 电力电子器件 概念: 电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件 主电路（main power circuit）——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路 广义上分为两类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空器件) 半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅) 电力电子器件的概念和特征 3. 同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征： 电力电子器件的概念和特征 应用电力电子器件的系统组成 电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成 应用电力电子器件的系统组成 控制电路按系统的工作要求形成控制信号，通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的通或断，来完成整个系统的功能。 应用电力电子器件的系统组成 由于主电路中往往有电压和电流的过冲，而电力电子器件一般比主电路中普通的元器件要昂贵，但承受过电压和过电流的能力却要差一些，因此，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行，也往往是非常必要的。 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： 电力电子器件的分类 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类： 典型全控型器件 1.1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO) 1.1.4.2 电力晶体管(GTR) 1.1.4.3 电力场效应晶体管(MOSFET) 1.1.4.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 典型全控型器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 也分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 绝缘栅双极晶体管 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱 动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 ?绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） ?GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。 ?1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件。 ?继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 其他新型电力电子器件 1.1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.1.5.3 静电感