支架内新生动脉粥样硬化斑块研究进展.docVIP

支架内新生动脉粥样硬化斑块研究进展 　　【摘要】 冠状动脉支架内新生动脉粥样硬化斑块（ISNA）形成可能是导致晚期血管并发症如支架内再狭窄（ISR）及晚期支架内血栓（LST）形成的重要原因，虽然支架内血栓发生率较低，但一旦发生将带来严重后果，具有很高的死亡率。ISNA形成不仅涉及第一代药物洗脱支架（DES），而且第二代DES也不能完全幸免。迄今为止，关于ISNA的发生机制仍不清楚，且尚无有效的干预措施。 中国论文网 /6/view-7255088.htm 　　【关键词】 新生动脉粥样硬化斑块； 光学相干断层成像技术； 支架血栓 　　The Progress in Researches of In-Stent Neoatherosclerosis/DENG Chan-cui， SHI Bei， LIU Zhi-jiang.//Medical Innovation of China，2015，12（34）：153-156 　　【Abstract】 In-stent neoatherosclerosis has emerged as an important contributing factor to late vascular complications including late in-stent restenosis and late stent thrombosis. Stent thrombosis is an uncommon but serious complication and associated with a high mortality. The development of in-stent neoatherosclerosis has been identified not only in first-generation DES， but also in second-generation DES. Currently， the precise mechanism of neoatherosclerosis development remains unknown and there is no effective intervention measures. 　　【Key words】 Neoatherosclerosis； Optical coherence tomography； Stent thrombosis 　　First-author’s address： The First Affiliated Hospital of Zunyi Medical College， Zunyi 563003， China 　　doi：10.3969/j.issn.1674-4985.2015.34.051 　　虽然药物洗脱支架（drug-eluting stent， DES）已显著地降低了再狭窄（in-stent stenosis， ISR）率，然而，晚期支架失败逐渐引起了人们的极度关注。近年来，影像学及病理学研究发现，支架内新生动脉粥样硬化斑块（in-stent neoatherosclerosis， ISNA）与极晚期支架内血栓（very late stent thrombosis， VLST）形成是ISR、晚期支架内血栓的机制。虽然其发生率较低，但一旦发生将带来灾难性后果，通常会引起急性心脏不良事件如急性心肌梗死或猝死。本文就近年来ISNA的相关研究做一综述。 　　1 ISNA与晚期、极晚期支架内血栓 　　支架内血栓依据支架植入后发生的时间分为急性期（0～24 h）、亚急性期（24 h～30 d），晚期（30 d～1年）和极晚期（1年）[1]。早期（急性期与亚急性期）支架血栓的2年死亡率是20%，晚期与极晚期支架血栓死亡率是10%[2]。 　　血管内成像促进了人们对支架内血栓形成潜在机制的认识。血管内超声（inravascular ultrasound， IVUS）研究显示，早期支架血栓与支架膨胀不全和支架异位有关，这可能解释不同支架类型早期血栓发生率相似[3]，LST、VLST与支架异位和内皮延迟愈合有关，而ISNA破裂是LST、VLST形成的重要的新的机制。ISNA是指支架附近新生内膜内有富脂质的泡沫细胞聚集伴或不伴坏死核形成[4]。ISNA的主要特点包括泡沫巨噬细胞、薄帽纤维粥样斑块（thin cap fibroatheromas， TCFA）、脂质浸润、斑块破裂。在稳定型心绞痛、ST段抬高性心肌梗死相关的VLST患者中，应用光学相干断层成像技术（Optical Coherence Tomography， OCT）观察到ISNA破裂[5]。第一代和第二代DES植入后9个月