半导体物理习题课(一).教案分析.ppt

雷天民 雷天民 半导体物理Semiconductor Physics 雷天民 leitianmin@163.com * 例1、锑化铟介电常数ε=17，电子有效质量mn=0.014m， 试计算： 1）浅施主的电离能和基态轨道半径； 2）相邻施主上的基态电子轨道开始交叠时的施主浓度。当超过这个浓度时，将出现什么效应? (已知氢的基态电离能E0＝13.6eV，玻尔半径a0＝0.53?) [解] 1）利用类氢模型，基态电离能和基态轨道半径分别为 (?) * 2）设想施主杂质均匀地排列成一个立方格子，那么Nd-1/3 即表示相邻杂质小心的距离。所以 当施主浓度越过这个数值时，相邻施主上的基态电子轨道将发生交叠，这时杂质能级将扩展成一个杂质能带。即束缚于杂质上的电子，可以在不同杂质原子之间转移，杂质带表现出一定的导电性。 与晶体能带中的电子相比，杂质带中的电子运动要困难得多。只是在低温下，当能带中的载流子对电导的贡献变得很小时，杂质带的导电性才可以表现出来。 * * 雷天民 * 例3:如果 n 型半导体导带极值在[110]轴上及相应对称方向上，回旋共振实验结果应如何？ [解] 由解析几何定理得，B 与 k 的夹角余弦cosθ为： 思路：确定可取的cosθ，即可确定吸收蜂个数。 据立方对称性，有12个方向上的旋转椭球面 * 雷天民 * 对不同方向的旋转椭球面取不同的一组(k1,k2,k3)。 （1）若 B 沿[111]方向则cosθ可以取两组数： 可知当 B 沿[111]方向时应有两个共振吸收峰； 可知当 B 沿[110]方向时应有三个共振吸收峰； （4）若 B 沿任意方向，则cosθ可取六 个不同值，所以应有六个共振吸收峰。 （2）若 B 沿[110]方向则cosθ可以取三组数： （3）若 B 沿[100]方向则cosθ可以取两组数： * 雷天民 * 例4、若锗中杂质电离能△ED＝0.01eV，施主杂质浓度分别为ND＝1014cm-3及1017cm-3，计算：(1)99%电离；(2)90%电离；(3)50%电离时温度各为多少？ [解] 思路：区分电离程度，选择适用条件。 对于强电离，未电离杂质占的百分比为： * 雷天民 * ND=1014cm-3，99%电离，即D-=1-99%=0.01 若ND=1017cm-3，99%电离，即D-=1-99%=0.01 * 雷天民 * （2）ND=1014cm-3，90%电离，即D-=1-90%=0.1 若ND=1017cm-3，90%电离，D-=0.1 * 雷天民 * （3）50％电离不属于强电离，不能再用上式 即 取对数后得 整理得 * 雷天民 * 若ND=1014cm-3，有 若ND=1017cm-3，有 * 雷天民 * 上述对数方程可用图解法或迭代法解出！ 图解法：分别令 作y1和y2曲线,并由两条曲线相交求得对应温度T。 * 雷天民 * 迭代法： 以ND=1014cm-3，99%电离为例，有 Tn lnTn Tn+1 300 5.70 18.6 18.6 2.92 55.7 55.7 4.02 31.1 31.1 3.44 40.6 40.6 3.70 35.7 35.7 3.58 37.8 37.8 3.63 36.9 36.9 3.61 37.1 37.1 3.61 37.1 给 T 一个初始值，代入方程右边，可得出一个新的T值。再将所得的T 值代回方程右边进行计算，如此反复循环。直至代进去的T 值与计算出来的 T 值相等(或非常接近)为止。这时所得的 T 值即为所求。 * 雷天民 * 例5、设二维正方格子的晶格常数为a，若电子能量可表示为 试求状态密度。 [解] 能量为 E 的等能面方程式可以写成： 显然，是一个半径为 R 的圆，其面积为 * 雷天民 * 乘以 k 空间状态密度2S（晶体的面积）即可得圆内所包含的状态数为： 取微分，有 单位能量间隔内的状态数，即状态密度为 * 雷天民 * 例6、有一硅样品，施主浓度为ND＝2×1014 cm-3，受主浓度为NA＝1014 cm-3，已知施主电离能?ED为0.05eV，试求99％的施主杂质电离时的温度。 [解] 令ND+表示电离施主的浓度，则电中性方程为： 略去价带空穴的贡献，则得： (受主杂质全部电离) 式中 对硅材料 由题意，有 * 雷天民 * 当有99％的施主电离时，说明有1％的施主有电子占据，即f (ED)=0.01。 * 雷天民 * 例7、在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016／cm3。已知掺硼浓度NA1=1016／cm3，其电离能?EA1 = EA1－Ev = 0.045eV，