薄膜材料.教案分析.ppt

3.3 其它物理气相沉积方法 离子束辅助沉积技术的关键部件离子源，它有多种不同的形式：考夫曼离子源和霍尔离子源。 考夫曼离子源是一种可以被用来产生宽束、强离子流的离子源。 霍尔离子源也是一种以阴极发射电子引发气体放电的离子源，与考夫曼不同的是，它没有用以改善离子束方向性的栅极板。 3.3 其它物理气相沉积方法 在离子束辅助沉积中，由于实现了离子源与薄膜沉积室的分离，因此，不仅离子束的流量、能量可以得到控制，气体杂质污染较少，而且还可以方便的控制衬底温度、倾角等工艺参数。 1、离子束辅助沉积碲化铅薄膜的AFM 研究 离子束辅助沉积举例 碲化铅( PbTe) 是一种重要的红外镀膜材料, 其透明范围宽( 从3.8~100.0 μm) , 室温下折射率达5.5, 是实际可用的最高折射率材料。因此, 采用碲化铅薄膜作为高折射率材料可以减少薄膜总层数。 采用传统热蒸发方法沉积的薄膜材料的光学、物理和化学性能与块状材料的性能有明显的不同, 主要是存在柱状结构、空洞和不均匀等缺陷，膜层中还往往存在一定的应力。这些性能的不同与薄膜材料的微观结构有着直接的联系。为了改善薄膜的这些性能, 人们发展了多种新的薄膜沉积方法。这些方法一般都利用增加沉积原子的能量以提高其迁移率, 消除柱状微观结构的形成。其中的一种方法就是离子束辅助沉积方法, 在沉积薄膜的同时, 采用束能离子对薄膜进行轰击, 以改善薄膜的性能。 离子束辅助沉积举例 在作者研制的一个空间光学薄膜系统中, 采用了碲化铅作为高折射率材料。考虑到传统蒸发方法沉积薄膜的多孔结构和光学薄膜系统所使用空间环境的恶劣, 采用了离子束辅助沉积方法作为薄膜沉积方法。 碲化铅薄膜的沉积采用离子束辅助光学镀膜机完成, 镀膜机的真空室为直径70 cm 的不锈钢立式真空室, 采用涡轮分子泵的无油真空系统, 配备一个发散型的考夫曼离子源, 它可以独立于材料蒸发过程, 提供能量均一的中性离子束, 离子能量从0 到500 eV 可调。实验中, 采用Ar 离子作为辅助离子束, 碲化铅采用电阻蒸发, 薄膜厚度的监控采用光学膜厚控制仪, 利用一个和基片架接触的热电偶测量基片的温度。 薄膜沉积在单晶锗基片上, 基片温度分别为170 ℃和室温。在沉积过程中, 采用不同能量的离子束轰击基片, 离子能量分别为0、300、500 eV, 离子束辅助沉积举例 图1 是在基片温度为170 ℃时, 采用不同离子束能量轰击基片时沉积的薄膜AFM图像。可以看出, 当没有离子束轰击时( 图1( a) ) , 薄膜呈现出一种显著的层状结构, 这可以认为是柱状结构的一种; 当采用了离子束轰击时( 图1( b) 和图1( c) ) , 层状结构不再是表面上主要的结构, 而且晶粒的形状趋于多样化, 晶粒尺寸有明显的增大, 尺寸分布范围更宽。离子能量越大, 这种现象越明显。 离子束辅助沉积举例 图2 是在基片温度为室温时, 采用不同离子束能量轰击基片时沉积的薄膜AFM图像( 图像面积均为2 μm×2 μm) 。比较图2( a) 和图1( a) , 可以发现较高温度的基片也会影响层状结构的变化, 形成较大的晶粒尺寸, 但温度的影响和离子束的作用相比, 要弱得多。 离子束辅助沉积举例 2、离子辅助制备碳化硅改性薄膜 　 随着我国空间科学技术的不断发展,空间用大口径成像系统的研究任务日益迫切,对成像系统中的核心部件反射镜的物理和机械性能也提出了更高的要求,因此各国都对新型反射镜材料进 行了大量研究。碳化硅材料凭借其较高的弹性模量和比刚度、较低的密度和较高的熔点等优异的物理性能,以及良好的可加工特性和相对较低的成本成为了当前空间应用的主流反射镜材料。目前制备碳化硅材料的方法有反应烧结法( Reaction Bonded) , 高温烧结法( Sintered) , 热压法( Hot Press) 等。由于制备方法的限制,上述每种方法都有其缺点。 离子束辅助沉积举例 目前,国际上通行的方法是在碳化硅基底材料上生长一层性质接近于基底材料的改性层(硅或碳化硅改性层) ,再利用抛光的方法获得表面均匀且粗糙度小的镜面。一方面改性层可以修复原来不均匀的表面,另一方面对改性层抛光可以使表面粗糙度得到改善进而提高反射效率。所以制备既易于进行抛光又和反应烧结碳化硅基底结合状况好的改性层是解决问题的关键。 离子束辅助沉积( Ion Beam Assisted Deposition , IBAD) 法是近年来得到迅速发展的一种新型薄膜辅助生长方法。离子束辅助蒸发方法具有反应温度低,制备参数可控制性强,重复性好,维护简单等优点,一方面可以增加沉积材