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PAGE  PAGE 6 实验18：霍耳效应及应用（参考内容） 一、实验目的： 1．了解霍耳效应实验原理 2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量实验试样（霍尔元件）的VH—Is曲线、 VH—IM曲线。 3．确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。 二、实验器材（型号、规格、件数） 霍耳效应实验仪（HLD—HL--IV型）1台、 霍耳效应测试仪（HLD—HL--IV型）1台（可用2台恒流源，1台数字电压表替代） 专用测试线6根 [仪器简介] 仪器外观图 图二 实验仪电路连接图 实验原理 将一导电体（金属或半导体）薄片放在磁场中，并使薄片平面垂直于磁场方向。当薄片纵向端面有电流I流过时，在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面AA’间就会产生一电势差，这种现象称为霍耳效应（Hall effect），所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压，用VH表示。 霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力f洛作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷集累，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场EH。 对实验所用试样（霍尔元件），在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向有霍耳电场EH。 当试样中载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力evB相等时，样品两侧电荷积累达到平衡，因此有： f洛=F横向电场力 evB=eEH (1) 若霍尔元件几何参数如图已知，且n为载流子浓度，v为载流子在电流方 向上的平均漂移速度。有Is=nevbd (2) 由（1）（2）两式可得：VH =EHb=IsB/ned 则VH =RH（IsB/d） (3) Is—X方向电流 Y IMIM励磁电流（B磁场Z方向） RH=1/ne霍尔系数 X VH霍尔电压 Z 由(3)式知：在外磁场不太强时，霍耳电压与工作电流和磁感应强度成正比，与薄片厚度成反比。VH ? Is；VH ? IM（B）；VH ?1/d 四．实验内容 测绘试样（霍尔元件）VH—Is曲线 2、测绘试样（霍尔元件）VH—IM曲线 3、确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。 五、实验记录与数据处理 1．实验准备： 1）记录励磁线圈相关参数: 2）测试仪开机前应将Is，IM调节旋纽逆时针旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然 后开机。 按图二所示电路连接图连接好实验电路。注意输出电流与输入电流的正负极性。 提醒： 本实验的器件很容易损坏,有以下几点需要特别注意： 1）接好线路需要老师检查后方可通电，这主要是为了避免将测试仪的励磁电源“IM 输出” 误接到实验仪的“Is 输入”或“VH输出”处，否则一通电，霍尔器件即被破坏！ 2）电路开、关、或功能切换时，一定要将Is、IM旋钮逆时针旋转到底，也就是把它们的 输出调为零，这主要是为了避免电压或者电流的突变对仪器、件造成破坏。 3）霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，实验中严禁触摸探头。 4）关机前应再次将IS、IM调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于0后，方可切断电源。 2．实验记录与数据处理 1）测绘VH—Is曲线 将实验仪的三组开关均向上，即在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，毫伏表电压为VCD=VH ，调节IM=0.6A，保持其值不变，调节Is并记录相应的VH数据，将VH、Is数据，记于表1中。（表中箭头代表实验仪Is，IM 双向开关向上或向下，VH是绝对值取平均） 表1 IM=0.6A Is：1.00—4.00mA Is (mA)v1(mV)  v2(mV) v3(mV)v4(mV) VH=(v1+v2+v3+v4)/4 (mV)+ Is +B+ Is -B- Is -B-Is +B1.001.502.002.503.004.00 由表1数据（以电压为横轴，电流为纵轴）做实验曲线，即绘出图1（VH—Is曲线） Is（m