代替ITO的新材料及技术精要.pptVIP

ITO Glass Color Filter TFT-LCD CTP Sensor CTP Module Dedicated to the upstream FPD material Laibao Hi-tech SLC 唐甲 代替ITO的透明导电材料及技术 tangjia1127@163.com 2016.03.05 新材料概述 金属网栅 纳米银 石墨烯 导电高分子 目录 铟每公斤约800美元，ITO内含有约75wt%的铟，ITO颜色问题，易碎裂，在软性基材无法大角度及多次弯折，面电阻在50Ω以下时光学性能衰退，大尺寸成本压力很大等均迫使业者不断尝试寻找价格可接受，能满足高透及高导电度的替代品。 一 新型透明导电材料概述 目前，石墨烯仍将处于长期研发阶段。纳米碳管工业化量产技术尚未完善，其制成的薄膜产品导电性还不能达到普通ITO薄膜的水平。导电聚合物价格低廉、制程简易、可挠性优异，但面阻和透过性能待完善，是全球众多业者研究的热点。从技术发展与市场应用综合评价，金属网格与纳米银线技术将是近期新兴触控技术的两大主角。 图1. ITO替代品阻抗与成本区间分布 　 石墨烯 导电高分子 纳米银 金属网栅 Sheet Resistance R□ ~100 Ω/□ ~300 Ω/□ ~60 Ω/□ ~10Ω/□ Transmittance 90% 88% 90% 85~88% Advantage Low R□ Low Cost, Simple Process Low R□, High Transmittance Lowest R□, Low Cost Disadvantage Hardly Large-area Coating,Non-uniformity Highest R□,Low Transmittance, Blue Color, Less stable High Costs, Long Process Flow Grid Visible 一 新型透明导电材料概述 图2. 透明导电材料性能对比 Metal Mesh技术是利用银，铜等金属材料或者氧化物等易于得到且价格低廉的原料形成导电金属网格图案，受限于工艺因素目前主要被供应商设定为主攻11.6英寸以上、大尺寸触摸屏市场应用市场。 二. 金属网栅 MM工艺的关键问题： 如何控制网格精细度，同事避免网格线路过细产生断线！！！ MM 制程难点： 由于印刷制作的工艺水平，所制得的金属线宽较粗，通常大于5um，导致在高像素下，莫瑞干涉波纹非常明显，使得金属网格技术制成的薄膜产品仅仅适用于观测距离较远的显示器屏幕，例如台式一体机器，笔记本电脑，智能电视等。? ?? ? 若线宽能够大幅度下降，特别是能下降到1um左右，则该技术制成的薄膜同样可以搭载在高分辨率的智能设备上。然而，欲将线宽大幅缩减并非易事，传统的压制印刷工艺无法满足要求，需要采用黄光制程工艺，制作成本会大幅增加。 二. 金属网栅 金属线若是采用上下交叠的正交规则结构，很容易形成光学干涉，也就是所谓的莫瑞纹（Moire pattern）.在高解析的显示器上更为显著。 光学干涉的原因： ①来自金属网的规则网格与下方面板pixel规则图案重叠； ②网格的节点过粗造成的。因此使用金属网做Touch sensor时，通常会旋转一个角度来避免图案重叠，同时线径够细降低节点过粗。 二. 金属网栅 1. 印刷制程：工序较少，且设备成本低，适合大量生产，但在控制线宽不精准。 ①印刷/自催化电子线路技术 近年来厂商投入的都是卷对卷（ Roll? to? Roll）制程开发。在滚轮上预先雕刻出线路图案,PET膜上涂布具有自催化能力的油墨，输送过程中，滚轮在油墨上确定出细线位置，将非线路区油墨移去，然后将Cu沉积（无电镀Cu）在油墨之上形成线路，最后在Cu线路周围进行黑化处理，金属与PET之间的附着用3M胶带测试。 二. 金属网栅 ②直接网印技术 印刷油墨内含有许多粒径大小约为数百纳米的银颗粒形成导电油墨，透过精密遮罩，将线路直接成型，产品面阻约0.5Ω，线宽约20um，透明度为70%-80%，Gunze公司早在2009年用该方法制作透明电极膜。 二. 金属网栅 光刻制程：设备成本高，工序多，但线宽控制精准，能更好的掌握光学品质，欧菲光1.5um线宽工艺已开发完成 (可搭配330ppi解析度LCM, 无Moire)。 日本Torry早在2013年就发表过线径为6um，间距100um，面阻约0.2透过率约80%的产品，它首先将厚度为1.5-2.