第八章工艺腔内的气体控制分析.ppt

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第八章工艺腔内的气体控制 本章内容 8.1 真空 8.2 真空泵 8.3 工艺腔内的气流 8.4 残气分析器 8.5 等离子体 8.6 工艺腔的沾污 8.1 真空——工艺腔 现代的硅片处理工艺通常用到发生在工艺腔里的反应。工艺腔是指一个受控的真空环境。 控制气态化学品的流入，并在尽量靠近硅片的地方发生反应 在真空环境中保持预定的压强 去除不需要的水汽、空气和附加反应 创建一个能够使化学反应（例如产生等离子体）发生的环境 控制硅片的加热和冷却 多腔集成设备 真空的益处 创建洁净的环境：去除颗粒、不需要的气体、水汽和沾污物 降低分子密度：减少沾污，去除起妨碍作用的气体（降低分子干扰） 增大分子碰撞的距离：提供必要条件用以创造半导体制造业中溅射和刻蚀等工艺需要的等离子区 加速反应过程：降低反应蒸气的压强，使得它们可以更快地与其他原料反应，从而有助于加速反应进程 产生一种动力：例如机械臂控制硅片所用的真空吸力 真空级别 初级 759~100托 氧化、光刻、抛光 中级 100~10-3托 刻蚀、淀积、金属化 高级 10-3~10-6托 离子注入、测量 超高级 10-6~10-9托 测量 平均自由程 一个运动的气体分子在撞上另一个分子之前运动的平均距离叫做平均自由程（MFP） 8.2 真空泵 8.3 工艺腔内的气流 对工艺腔控