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1．8 图P1.8 所示电路中，设ui=1.5sinωt(V)，二极管具有理想特性，试分别画出开 关S 处于A、B、C 时，输出电压uo 的波形。 2.1 图P2.1 所示电路中的三极管为硅管，试判断其工作状态。 解：（a）UBE=0.7－0V=0.7V，UBC=0.7V－3V0，故该NPN 管发射结正偏，集电结反 偏，工作在放大状态。 （b）UBE=2V－3V0，UBC=2V－5V0，故该NPN 管发射结与集电结均反偏，工作在 截止状态。 （c）UBE=3V－2.3V=0.7V，UBC=3V－2.6=0.4V，故该NPN 管发射结与集电结均正偏， 工作在饱和状态。 （d）UBE=－2.7V－（－2V）=－0.7V，UBC=－2.7－(－5V)0，故该PNP 管发射结正 偏，集电结反偏，工作在放大状态。 （e）UBE=－3.7V－（－5V）0，UBC=－3.7V－（－3V）=－0.7V， 故该PNP 管发射结反偏，集电结正偏，工作在倒置状态。 2.3 对图P2.3 所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算β值。 解：（a）因为iBiCiE，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。由电流流向可知是NPN 管： （b）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNP 管 2.7 图P2.7 所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，us=sinωt(mV)，三极管参数为β=80，UBE（ON）=0.7V，rbb′=200Ω，试分析：（1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。 解：（1）计算电路的静态工作点 画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.7（a）、（b）所示 动态分析，求交流量ube、ib、ic、uc 由于IEQ≈1.92mA，故可求得 2.11 场效应管的转移特性曲线如图P2.11 所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。 解：（a）由于uGS 可为正、负、零、故为耗尽型MOS 管；由于uGS（off）=－80，故为N 沟道耗尽型MOS 管，其电路符号如图解P2.11（a）所示。由图P2.11(a)可得IDSS=4mA。 （b）由于uGS≤0，故为N 沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.11（b）所示。由图P2.11（b）可得UGS（off）=－5V，IDSS=5mA。 （c）由于uGS 可为正、负、零，且UGS（off）=2V，故为耗尽型PMOS 管，电路符号如图解P2.11（c）所示。由图P2.11（c）可得UGS（off）=2V,IDSS=2mA. （d）由于uGS0，故为增强型NMOS 管，电路符号如图解P2.11（d）所示，由图P2.11（c）可得UGS(th)=1V。 2.12 场效应管的输出特性曲线如图P2.12 所示，试指出各场效应管的类型并画出电路 符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。 解： （a）由于uGS 可为正、负、零，UGS（off）=－1.5V，故为耗尽型NMOS 管， 电路符号如图解P2.12（a）所示。由图P2.12(a)可得，uGS=0V 时的漏极饱和电流值为IDSS≈0.8mA. (b)由于uGS0，故为增强型NMOS 管，电路符号如图解P2.12（b）所示。由图P2.12（b）可得UGS（th）=2V （C）由于UGS≤0，故为N 沟道结型场效应管，电路符号如图解P2.12（c）所示。由图2.12(c)可得UGS（Off）=－4V，IDSS=4mA (d)由于uGS＜0，故为增强型PMOS 管，电路符号如解图P2.12（d）所示。由图2.12(d)可得UGS（th）= -1V。 3.2 放大电路如图P3.2 所示，已知三极管β=100，rbb′=200Ω，UBEQ=0.7V，试（1）计算静态工作点ICQ、UCＥQ、IBQ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增益Aus。 解：（1）求静态工作点 3.4 放大电路如图P3.4 所示，已知三极管的β=100，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，试：（1）求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增益Aus。 3.10 共集电极放大电路如图P3.10 所示，已知β=100,rbb’=200Ω，