第5章 磁电式传感器 3.pptVIP

* 教材166页 式中： I 恒流源电流 IH0 温度为T0时，霍尔器件的控制电流 I0 温度为T0时，通过r0的电流 R0 温度为T0时，霍尔器件的内阻 r0 温度为T0时，补偿电阻值 KH0 温度为T0时，霍尔元件灵敏度系数 R 温度为T时，霍尔元件的内阻，R=R0(1+βt)， β霍尔元件内阻温度系数，t=T-T0相对基准温度的温差 r 温度为T时，r=r0(1+δt)，δ补偿电阻温度系数 IH 温度为T时，霍尔器件的控制电流 KH 温度为T时，霍尔元件灵敏度系数 α　霍尔元件灵敏度温度系数 B 磁场磁感应强度 当温度为T0时，霍尔电势UH0 UH0 = KH0 IH0 B 当温度为T时，霍尔电势UH 补偿后欲使输出霍尔电势不随温度变化，则应满足条件 UH=UH0 KH0(1+αt) IHB = KH0IH0 B 电压 IH0 I0 I UH 霍尔器件温度补偿电路 r0 (3) (4) (5) * 教材166页 式中： I 恒流源电流 IH0 温度为T0时，霍尔器件的控制电流 I0 温度为T0时，通过r0的电流 R0 温度为T0时，霍尔器件的内阻 r0 温度为T0时，补偿电阻值 KH0 温度为T0时，霍尔元件灵敏度系数 R 温度为T时，霍尔元件的内阻，R=R0(1+βt) β霍尔元件内阻温度系数，t=T-T0相对基准温度的温差 r 温度为T时，r=r0(1+δt)，δ补偿电阻温度系数 IH 温度为T时，霍尔器件的控制电流 KH 温度为T时，霍尔元件灵敏度系数 α 霍尔元件灵敏度温度系数 B 磁场磁感应强度 KH0(1+αt) IHB = KH0IH0 B 将（1）、（2）代入式（5），整理后得： (1+αt)(1+δt) = 1+(R0 β+r0δ)t /(R0+r0) IH0 = Ir0 /(R0+r0) IH = Ir /(R+r) IH0 I0 I UH 霍尔器件温度补偿电路 r0 (1) (2) (5) (6) * (1+αt)(1+δt) = 1+(R0 β+r0δ)t /(R0+r0) 将上式（6）展开，略去αδt 2 项，有： r0α=R0(β-α-δ) r0=R0(β-α-δ) /α r0≈R0β/α 由于霍尔元件灵敏度温度系数α和补偿电阻的温度系数δ 比霍尔元件内阻温度系数β小得多， 即αβ、δβ，上式可简化为： 上式说明 当补偿电阻等于上式，则可获得很好的补偿效果 当元件的α、β及内阻R0确定后，补偿电阻r0便可求出。 当霍尔元件选定后，其α、β值可以从元件参数表中查出。元件内阻R0可由测量得到。 式中： α 霍尔元件灵敏度温度系数 β 霍尔元件内阻温度系数 δ 补偿电阻温度系数 IH0 I0 I UH 霍尔器件温度补偿电路 r0 (6) (7) (8) * 在极性相反、磁场强度相同的两个磁钢的气隙中放置一块霍尔片 四、霍尔式传感器的应用 1、霍尔式位移传感器 右图是霍尔式位移传感器结构示意图 当霍尔元件的控制电流I恒定不变，那么霍尔电势UH与磁场强度B成正比。 若磁场磁感应强度在一定范围内沿 x 方向的变化率 dB/dx 为一常数。如右图（b）。则当霍尔元件沿 x 方向移动时，霍尔电势的变化为： （b）磁场变化 式中： k 位移传感器的输出灵敏度 x 霍尔器件在磁场中的移动距离 B 磁场磁感应强度 x x B N N S S I 测量原理： （a）霍尔式位移传感器 结构示意图 * 对上式积分得，输出的霍尔电动势为： 式中： K 位移传感器的灵敏度 x 霍尔器件在磁场中的移动距离 这种位移传感器可用来测量±0.5mm的位移，用于微位移、机械振动等测量。 若霍尔元件在均匀磁场（磁场在一个圆周上的变化率 dB/dx 为一常数）内转动，则产生的霍尔电动势与转角的正弦成比例，因此可用来测量角位移。 由式可见 霍尔电势 UH 与（霍尔芯片相对磁场的）位移量 x 成线性关系 霍尔电势的极性反映了元件位移的方向 0 B、UH x N N S S 2x 霍尔式位移传感器原理示意图 UH I * 2、霍尔式压力传感器 如图所示，霍尔式压力传感器的结构原理图。 它由两部分组成： 一部分是作为弹性敏感元件的弹簧管，用于感受压力P，并将P转换为弹性元件的位移量x，即x=KpP，其中系数Kp为常数。 图 霍尔式压力传感器的结构原理图 另一部分是霍尔元件和磁系统，与霍尔是位移传感器类似，感受位移的变化，将位移转换成霍尔电势输出。 * 图 均匀梯度磁场示意图 磁系统形成一个均匀梯度磁场，如