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第三章 场效应管及其放大电路 由于半导体三极管工作时，必须保证发射结正向偏置，故输入端始终存在输入电流，改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管是电流控制器件，因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。 场效应管是通过改变输入电压（即利用电场效应）来控制输出电流，属于电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此其输入电阻十分高，可高达上百兆欧。除此之外，场效应管还具有温度稳定性好、抗幅射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所以得到广泛的应用。 由于半导体三极管参与导电的是两种极性的载流子：电子和空穴，所以又称半导体三极管为双极性三极管。场效应管仅依靠一种极性的载流子导电，所以又称为单极性三极管。 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（又称为MOS管）。 第一节 结型场效应管 一、结构 结型场效应管有两种结构形式。下图（a）为N型沟道结型场效应管，图（b）是P型沟道结型场效应管，其电路符号如图（c）、（d）所示。 以N沟道为例。在一块N型硅半导体材料的两边，利用合金法、扩散法或其它工艺做成高浓度的P＋型区，使之形成两个PN结，然后将两边的P＋型区连在一起，引出一个电极，称为栅极G。在N型半导体两端各引出一个电极，分别作为源极S和漏极D。夹在两个PN结中间的N型区是源极与漏极之间的电流通道，称为导电沟道。由于N型半导体多数载流子是电子，故此沟道称为N