半导体激光器-幻灯片.pptVIP

垂直腔面发射激光器（VCSEL）物理电子学S120100088张帆一VCSEL的发展历程二VCSEL原理结构三VCSEL的优点四VCSEL的应用VCSEL的发展历程1977年东京工业大学的伊贺教授首先提出垂直面射式激光的概念。在1979年由Soda,Iga,KitaharaandSuematsu（Soda1979）所发表，使用液相外延技术(LPE)实现InGaAs／InP材料的VCSEL在液氮温度77K下脉冲激射，阈值电流900mA。1984年伊贺实验室做出的A1GaAs／GaAs室温面射型脉冲激射激光，自此VCSEL发展才打开了新的纪元。1987年VCSEL这名词被杜撰于美国光学协会（OpticalSocietyofAmerica）出版物上。1994年实现了1550nm的InGaAsP／InP的VCSEL的室温连续工作。1993年实现了13lOnm的InGaAsP／InP的VCSEL的室温连续工作，同年夏天实现了670nm室温连续激射。VCSEL的发展历程1991年实现了波长为980nmGaAs／InGaAs系列的VCSEL室温连续工作。1999年，东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员在室温下从光泵浦InGaN垂直腔面发射激光器二维列阵中获得蓝光发射(399nm波长)。1999年，桑迪亚国家实验室利用反传导耦合，制作了发射868nm波长的两个强烈耦合锁相列阵垂直腔面发射激光器，以