半导体试题B资料.docxVIP

2015年成都理工大学半导体材料与器件考试试题 B卷 填空题（10 题， 没空1分，共30分） 1、将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶时的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的，这种现象称为（ ）和（ ）。 2、分凝系数K为（ ）中的杂质浓度与（ ）中的杂质浓度之比。对于K1的杂质，其浓度向（ ）集中。 3、固液交界面附近的扩散层熔体中，液流流动比较平静，称为（ ），扩散层外的熔体中，受热对流的影响，液流流动非常剧烈，称为（ ）。 4、晶体生长过程中，在一定过饱和度，过冷度的条件下，由体系中直接形成的晶核称为（ ）；体系中存在外来质点（尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核，称为（ ）。 5、宏观晶体的外形是由晶体生长特性决定的，法向生长速度慢的晶面，在生长 过程中会变（ ），最后得以保留；法向生长速度快的晶面，则越长越（ ），最后被其他晶面淹没而消失。从晶体学角度看，法向生长速度小的晶面，都是密勒指数（ ）的原子密排面，其表面能也（ ）。 6、无位错单晶在生长方向的横断面经西特尔（Sirtl）腐蚀液腐蚀后，所观察到的呈漩涡状分布的宏观缺陷花纹，称为（ ）缺陷。 7