光学薄膜在太阳能电池中的应用程序.pptx

光学薄膜在太阳能电池中的应用 汇报人：周恩源 2017-5-27 太阳能电池,也叫光伏电池,是一种可以将光能直接转变为电能的器件。这一物理现象的发现可以追溯至1839年。当时年仅19岁的法国实验物理学家Edmund Becquerel发现并命名了 “光生伏特效应”(Photovoltaic effect),简称“光伏效应”(PV effect) 。实验中,他选取了合适的两块电极并将其插入某种电解液中,其中一块半导体电极在光照条件下,产生了微弱的电流。该重要发现,为之后太阳能电池的理论和实验研究奠定了基础。 太阳能电池的定义 进入21世纪,各国对于光伏发电产业战略意义的认识更加深刻。由于全世界投入的持续增加,以及各国科技界、工业界努力探索,太阳能电池的效率大幅提升,制造成本逐年下降。时至今日,太阳能电池已经进入民用领域,并且以非常快的速度普及开来。 光伏发电的现状 太阳能电池的分类 CIGSe薄膜太阳能电池的优点 2～3μm Ni-Al-Ni顶电极 300～500nm AZO薄膜透明导电极 ～125nm MgF2薄膜减反层 ～50nm i-ZnO薄膜高阻层 ～50nm CdS薄膜缓冲层 2～3μm CIGSe薄膜吸收层 0.5～1μm Mo 薄膜底电极 ～2mm SLG基底 CIGSe薄膜太阳能电池的结构 基底材料 钙钠玻璃(soda-lime glass,简称SLG),属于硅酸盐坡璃,是一种无定形各向同性非晶材料,主要原料为二氧化硅、氧化钙和氧化钠等。通常含有较多的杂质,其成本低廉,应用广泛。目前世界纪录效率水平的CIGSe薄膜太阳能电池一般都采用SLG作为衬底。因为其热膨胀系数与Mo薄膜相匹配,且经抛光后,表面光滑。相较于普通玻璃而言,由于其含有纳(Na)元素,是理想的Na掺杂来源,这直接导致了最终电池效率的大幅提升,因此是理想的CIGS薄膜太阳能电池衬底材料。高质量的SLG产品熔融点较高,配方保密,例如美国纽约州康宁(Coring)公司生产的Corning-7059型号的SLG。 CIGSe薄膜太阳能电池的结构 Mo薄膜底电极 作为CIGSe太阳能电池的底电极,需要具备良好的导电性能、稳定的物理和化学性质(包括耐腐蚀性和不与CIGSe反应)。同时,还需要考虑到在整个电池电路中的电势匹配和成本问题。综合而言,金属钼(Mo)是最佳的选择。 2～3μm Ni-Al-Ni顶电极 300～500nm AZO薄膜透明导电极 ～125nm MgF2薄膜减反层 ～50nm i-ZnO薄膜高阻层 ～50nm CdS薄膜缓冲层 2～3μm CIGSe薄膜吸收层 0.5～1μm Mo薄膜底电极 ～2mm SLG基底 CIGSe薄膜太阳能电池的结构 CdS薄膜缓冲层 通常,高效率CIGSe薄膜太阳能电池中会釆用CdS薄膜作为缓冲层。其作用在于,减少了CIGSe薄膜吸收层与ZnO薄膜窗口层之间的晶格失配,同时调节了他们之间导带边失调的幅度,即减小了带隙梯度。CdS是一种禁带宽度为2.4 eV的n型直接带隙半导体,是一种很常见的II-VI族化合物。在CIGSe薄膜太阳能电池中,CdS薄膜是其p-n结中的n型区的一部分。在电池器件的制备过程中,它还可以防止射频溅射i-ZnO对CIGSe薄膜吸收层造成损害,起到保护作用。但是CdS薄膜的引入也有弊端,会吸收一定量的短波谱段的光,而其少数载流子(空穴)的扩散长度很短以至无法产生光电流,浪费了所吸收的光子导致JSC（短路电流密度）的降低。 2～3μm Ni-Al-Ni顶电极 300～500nm AZO薄膜透明导电极 ～125nm MgF2薄膜减反层 ～50nm i-ZnO薄膜高阻层 ～50nm CdS薄膜缓冲层 2～3μm CIGSe薄膜吸收层 0.5～1μm Mo薄膜底电极 ～2mm SLG基底 CIGSe薄膜太阳能电池的结构 ZnO薄膜窗口层 通常,由i-ZnO（本征氧化锌）和AZO（掺铝氧化锌）共同组成了CIGSe薄膜太阳能电池中的窗口层。其作为n型区,是构成整个异质结及其内建场的重要部分。ZnO是一种禁带宽度为3.4eV的直接带隙半导体材料。i-ZnO薄膜作为高阻层,具有可以防止电池内部短路的作用。然而,对于电池的上表面透明导电层而言,即是外界光源的入射通道又是光生电子的传输通道,需要同时具备高透过率和高导电性,AZO薄膜恰好可以很好的满足此要求。为了减小电池的串联电阻,i-ZnO薄膜的厚度为50nm。一般,高性能的AZO薄膜的可见光透过率接近甚至超过90%,电阻率约为2×10-4Ω·cm,厚度为300～500 nm。 CIGSe薄膜太阳能电池的结构 Ni-Al-Ni顶电极 顶电极在整个CIGSe薄膜太阳能电池器件