模拟电子技术第一章概要.pptVIP

概述 半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路，分立元件电路和集成电路的基础。 本章主要讨论半导体的特性，PN结的单向导电性，二极管的结构和工作原理，特性曲线和主要参数，二极管的基本应用。 1.1 半导体的特性 物质可分为导体、 绝缘体、 半导体。 原子结构的简化模型 1.1.1 本征半导体 ●本征半导体 通常把非常纯净的、几乎不含杂质的且结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 在T=0K（相当于—273oC）时半导体不导电，如同绝缘体一样。 如温度升高，如在室温条件下，将有少数价电子获得足够的能量，以克服共价键的束缚而成为自由电子，其载流子的数量很少（自由电子的数量）导电能力很弱。 本征激发现象 束缚电子 本征激发 空穴、电子对 两种载流子： 电子与空穴载流子 产生与复合 动态平衡 载流子浓度与T有关 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著的改变。 根据掺入杂质的化合价的不同，杂质半导体分为: N型半导体和P型半导体两大类。 1．N型半导体： 在4价硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等。 1.N型半导体 多数载流子（多子）是电子、少数载流子（少子） 是空穴又称为电子型半导体。 2．P型半导体 多子是空穴、少子是电子，也称空穴型半导体 1.1.3 PN结 PN结的形成过程 扩散运动与漂移运动达到动态平衡就形成PN结。 2.PN结具有单向导电性 PN结正偏时产生较大的正向电流PN结处于导通状态。  PN结反偏时产生较小的反向电流，PN结处于截止状态。 故PN结具有单向导电性。  1.正向特性 二极管的伏安特性方程： 可近似用PN结的伏安特性方程来表示。理论研究表明，PN结两端电压U与流过PN结的电流I之间的关系为 Isat--反向饱和电流 UT =kT/q-温度电压当量，其中k为玻耳兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量。在室温（27℃或300K）时UT≈26mV。 1.3 半导体二极管的基本应用 1.3.1 整流电路 单相桥式整流电路 1．工作原理分析 2．参数计算 (1)单相桥式整流电路的整流电压的平均值，即输出电压uo的直流分量UO(AV)为 1.3.2　检波电路 1.3.3　限幅电路 1.4　特殊二极管 利用二极管的反向击穿特性，可将二极管做成一种特殊二极管——稳压二极管。稳压二极管简称稳压管。 1.稳压二极管参数：稳定电压、稳定电流、动态电阻、额定功耗、稳定电压的温度系数。 1．电容效应 二极管除了单向导电性外，还具有电容效应（PN结电容效应），即当其两端电压变化时，其存储的电荷也发生变化，因此就出现充、放电现象。 按产生的原因不同分为势垒电容和扩散电容两种。 （1）势垒电容Cb （2）扩散电容Cd 结电容Cj为两者之和，即Cj= Cb + Cd 正偏时，Cb Cd ，结电容Cj以扩散电容为主；反偏时，Cb Cd ，Cj主要由势垒电容决定。 2．变容二极管 利用二极管的电容效应，可将二极管做成一种特殊二极管——变容二极管，其电路符号如下图所示。 发光二极管的符号如下图所示。发光二极管应工作在正偏状态，且当正向电流达到一定值时才能发出光。 半导体具有光敏特性，光照越强，受激产生的电子—空穴对的数量越多。 利用二极管的光敏特性，可制成一种特殊二极管——光敏二极管。光敏二极管又称光电二极管，属于光电子器件。 ※ 二极管的检测和判断 2.二极管好坏的判定 （1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。 （2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。 （3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。 假设RL不变，由于电网电压升高而使输入电压UI升高时，输出电压UO也将随之升高，但此时稳压管的电流IZ将急剧增加，则R上的压降增大，以此来抵消UI的升高，从而使输出电压基本保持不变。这一稳压过程概括如下： 当输入电压不变，而负载电阻RL减小时，由图可知负载电流IO增大，必然引起IR的增大，则UR增大，从而使UZ=UO减小，IZ减小。IZ的减小必然使IR减小，UR减小，从而使输出电