集成电路工艺第一章硅集成电路衬底加工技术讲述.ppt

IC中硅衬底表面抛光 抛光设备： A、 按生产方式分：批式抛光机和单片式抛光机 B、 按抛光面数分：单面抛光机和双面抛光机 CMP抛光的动力学过程 CMP是一个多相反应，有二个动力学过程： 首先吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与单晶片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程（化学作用）如碱性抛光液中的OH-对Si的反应： Si ＋ 2OH- + H2O=== SiO32- + 2H2 2. 抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程，使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程（机械作用） CMP Oxide Mechanism Figure 18.10 SiO2 layer Polishing pad Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si CMP System (5) By-product removal (1) Slurry dispense By-products (2) H2O OH- travel to wafer surface (4) Surface reactions and mechanical abrasion Drain Slurry (3)