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《机械工程材料》辅导资料三 主 题：第章 这周我们将本课程第章，“结合键”。 根据结合力的强弱，结合键分为强键和弱键两类：强键（离子键、共价键、金属键）；弱键（分子键）； （一）离子键 正负离子通过静电吸引相互接近，当离子间的引力与斥力相等时，两者之间达到平衡，而行成“离子键”。 通过离子键结合的材料强度、硬度高，脆性大，是绝缘材料。多为无色透明的物体。 图1 NaCl离子键的形成过程 （二）共价键 通过共用电子对而达到稳定结构结合的键接方式称为“共价键”。 通过共价键结合的材料，同样具有强度高、熔点高、脆性大的特点。导电性依共价键的强弱而不同。 图2 共价键示意图 （三）金属键 通过金属离子和自由电子结合而形成的键接方式称为“金属键”。 由金属原子上脱离下来的最外层电子，称为“自由电子” 。它们在金属中聚集成为“电子云”，并可以自由移动。 失去价电子的原子成为“正离子”，通过电子云将它们连接在一起。 由于电子云在金属中可以自由移动，所以金属具有良好的导电性和导热性，同时，在光照的条件下使其激发，继而产生金属光泽。 当金属原子之间产生位移时，由于自由电子的存在，使原子之间不致产生破坏，因而，金属具有良好的塑性。 图3 金属键示意图 （四）分子键 分子键又被称作“范德华键”。它是由于分子中的共价电子对非对称分布而引起的电位不均允分布，使分子在某方向上显正电性，而另一方向显负电性，继而形成偶极矩，使两个分子键接在一起。 图4 分子键示意图 氢键：由于氢原子只有一个电子，所以当和某个电负性很大的原子结合成分子时，电子强烈偏移，另一个方向会显示很强的正电性，当和另一个电负性较大的原子相遇时，产生较强的引力，使三个原子连接在一起，形成桥接，故单独形成一种键接方式，称为“氢键或氢桥”。 由于形成分子键的范德华力很弱，因而分子键结合的材料熔点和硬度均较低。又因无自由电子的存在，所以这些材料都是良好的绝缘体。 二、晶体结构的基本概念 （一）晶体与非晶体 1. 晶体：内部原子在三维空间呈规则排列的物质。如金属、食盐、单晶硅等。 2．非晶体：内部原子在空间无序排列的物质。如玻璃、石蜡、松香等。 3. 晶体与非晶体在某些条件下可以互相转化。 4. 非晶体在适当的条件下，可以转化为晶体，称为“晶化”。晶体在适当的条件下也可出现非晶状态。 5. 晶体具有固定的熔点，具有各向异性，非晶体原子混乱排列，各向同性。 （二）晶格 为了研究原子的排列规律，把每个原子看成是一个既无大小，又无质量的几何点，称为“结点”。由结点的排列阵列称为“点阵”。将点阵中各结点用想象中的线条连接起来所得到的空间格架，称为“晶格”。 （三）晶胞 1. 晶胞：晶格中能够代表晶格原子排列规律的最小几何单元称为晶胞。 为了表达晶胞的形状、尺寸，将晶胞放入坐标系中，单个晶胞在坐标系中的尺寸（棱边截距）、及各棱边之间的夹角，称为“晶格常数”，又称为“晶格尺寸”。 晶格常数（晶格尺寸）分别用和等来描述。根据这些参数，可将晶体分为七大晶系，分别为三斜、单斜、正交、六方、菱方、四方和立方。 2. 原子半径：晶体中原子最紧密排列方向上,相邻原子间距尺寸的一半。 3. 晶胞原子数：一个晶胞内所包含的实际原子数。 4. 致密度：晶胞中原子所占的体积百分数。 5. 配位数：晶体中与任意原子距离相等的原子数。 显然,不同结构的晶体晶胞原子数、配位数和致密度也不相同，配位数越大的晶体致密度越高。 （四）立方晶系的晶面和晶向表示方法 1. 晶面：晶体中，由原子组成的平面称为“晶面”。 2. 晶向：由原子组成的原子列的方向称为“晶向”。 3. 晶面指数：表示晶面的符号称为“晶面指数”。 4. 晶向指数：表示晶向的符号称为“晶向指数”。 三、金属的结构 金属的晶体结构包括：金属的“晶态结构”和金属的 “非晶态结构”两大类。 （一）金属的晶体结构 1.纯金属的晶体结构 金属键没有方向性和饱和性，大多数金属晶体都具有排列紧密、对称性高的简单结构。 在纯金属中，最常见最典型的晶体结构有面心立方、体心立方和密排六方结构。前两种属于立方晶系，后者属于六方晶系。 2. 实际金属的晶体结构 实际金属中不可避免的存在着各种缺陷。晶体缺陷对金属性能有着重要的影响。 根据缺陷的几何特征，可将晶体缺陷分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种类型。 （二）金属的非晶态结构 1. 描述方法 比较气态、非晶态和晶态，非晶态金属的结构与液态金属相似，原子排列没有长程的周期性。 在非晶态金属中没有晶界、位错等晶态金属所特有的晶体缺陷。 2. 模型 非晶态的原子结构模型多数人认为是“硬球无规密堆模型”。 四、陶瓷的结构 陶瓷材料是利用氧化物、碳化物、氮化物、硼化物等原料经制坯、成型和烧结工艺加工制成的材料。陶瓷材料中的基本相及其结构要比金属复杂的多。