第5章_MEMS工艺.pptVIP

反应离子刻蚀 反应离子刻蚀（Reactive ion etch）是在等离子中发生的。 随着材料表层的“反应－剥离－排放”周期循环，材料被逐层刻蚀到制定深度。 衡量反应离子刻蚀的指标： 掩模的刻蚀比 刻蚀的各向异性程度 其它：刻蚀速率、刻蚀均匀性等 等离子腐蚀 刻蚀过程主要是化学反应刻蚀，是各向同性的，主要作为表面干法清洗工艺。 利用气体辉光放电电离和分解稳定的原子所形成的离子和活性物质，与被腐蚀的固体材料作用，产生挥发性的物质或气态产品。 DRIE、ICP刻蚀工艺 反应离子深刻蚀 改善刻蚀的方向性，即各向异性，一直是反应离子刻蚀技术发展过程中不懈追求的目标。 完全化学刻蚀是各向同性的，完全的物理刻蚀虽然有很好的方向性，但有很差的选择性，即掩模本身经受不了长时间的刻蚀。 电感耦合等离子体（ICP），Bosch工艺 反应离子深刻蚀的要求： 需要较高的刻蚀速率，否则刻穿500um厚的硅片需要太长的时间； 需要极好的各向异性，即刻蚀的边壁垂直。 除了离子物理溅射之外，反应离子刻蚀从本质上是各向同性，为了阻止或减弱侧向刻蚀，只有设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层抗刻蚀的膜。 Bosch工艺 所谓Bosch工艺就是在反应离子刻蚀的过程中，不断在边壁上沉积抗刻蚀层或边壁钝化 八氟环丁烷离化后在底面和侧壁形成聚合物钝化层。 通入刻蚀气体SF6刻蚀掉底部钝化层，并进一步刻蚀硅。新暴露的侧壁被新的钝化层覆盖。 离子溅射刻蚀 离子溅射刻蚀是纯粹的物理刻蚀过程，氩气是最通用的离子源气体。 反应气体刻蚀 利用二氟化氙XeF2在气态可以直接与硅反应生成挥发性SiF4产物的性质，可以对硅表面进行各向同性刻蚀。 参数 干法腐蚀 湿法腐蚀 方向性 对大多数材料好 仅对单晶材料（深宽比高达100） 生产自动化程度 好 差 环境影响 低 高 掩模层粘附特性 不是关键因素 非常关键 选择性 相对差 非常好 待腐蚀材料 仅特定材料 所有 工艺规模扩大 困难 容易 清洁度 有条件地清洁 好到非常好 临界尺寸控制 非常好（0.1μm） 差 装置成本 昂贵 较昂贵 典型的腐蚀率 慢（0.1μm/min）到快（6μm/min） 快（1μm/min以上） 操作参数 多 很少 腐蚀速率控制 在缓慢腐蚀时好 困难 干法刻蚀与湿法腐蚀对比 * 硅腐蚀方法：干法和湿法 腐蚀方向选择性：各向同性和各向异性 腐蚀材料选择性： 选择性刻蚀或非选择性刻蚀 选择方法：晶向和掩模 多种腐蚀技术的应用：体硅工艺（三维技术），表面硅工艺（准三维技术） 湿法腐蚀 湿法腐蚀——“湿”式腐蚀方法，基于溶液状态的腐蚀剂。 湿法腐蚀工艺特点： 设备简单，操作简便，成本低 可控参数多，适于研发 受外界环境影响大 浓度、温度、搅拌、时间 有些材料难以腐蚀 湿法腐蚀——方向性 各向同性腐蚀——腐蚀速率在不同方向上没有差别 各向异性腐蚀——对不同的晶面的腐蚀速率有明显差别 利用各向异性腐蚀特性，可以腐蚀出各种复杂的结构。 各向异性腐蚀和各向同性腐蚀 硅的各向异性腐蚀 是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。 机理：腐蚀液发射空穴给硅，形成氧化态Si+，而羟基OH-与Si+形成可溶解的硅氢氧化物的过程。 各向异性(Anisotropy) 各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大（1：400） 各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用 各向异性腐蚀液 腐蚀液： 无机腐蚀液：KOH, NaOH, LiOH, NH4OH等； 有机腐蚀液：EPW、TMAH和联胺等。 常用体硅腐蚀液： 氢氧化钾(KOH)系列溶液； EPW(E：乙二胺，P：邻苯二酚，W：水)系列溶液。 乙二胺(NH2(CH2) 2NH2) 邻苯二酚(C6H4(OH) 2) 水(H2O) 1. KOH system KOH是目前在微机电领域中最常使用的非等向蚀刻液，为碱金属中强碱蚀刻液，其金属杂质会破坏CMOS的氧化层电性，所以不兼容于IC制程； 但因其价格低廉、溶液配制简单、对硅(100)蚀刻速率也较其它的蚀刻液为快，更重要的是操作时稳定、无毒性、又无色，可以观察蚀刻反应的情况，是目前最常使用的蚀刻液之一。 1.KOH system 溶剂：水，也有用异丙醇(IPA) 溶液：20% - 50% KOH 温度： 60 – 80oC 速率：~1um/分钟 特点：易于控制，兼容性差 2、N2H4 （联氨、无水肼） 为有机、无色的水溶液，具有很强的毒性及挥发性，在50oC以上就会挥发，故操作时需在良好装置下