光电成像原理与Chapter-固体成像器件成像原理及应用详解.ppt

光电成像与信息工程研究所 曹峰梅 Tel.804 Email. liuba@bit.edu.cn Email: liuba@bit.edu.cn Tel804 第八章 固体成像器件成像原理及应用 8.1. CCD的物理基础与工作原理 8.2. CCD的结构与特性 8.3. CCD成像原理 8.4. 增强型（微光）电荷耦合成像器件 8.5. CCD的应用 8.6. CMOS成像器件及其应用 8.1. CCD的物理基础与工作原理 CCD(Charge-Coupled Devices)电荷耦合器件：基于MOS(金属－氧化物－半导体）电容器在非稳态下工作的一种器件。 稳态下的MOS电容器 非稳态下的MOS电容器－电荷存储原理 稳态下的MOS电容器 VG不为零： VG0，电场使Si表面形成多数载流子的积累层，此为“积累状态”。 稳态下的MOS电容器 VG0，Si表面出留下一层离化的受主离子，此为多数载流子“耗尽状态”。 VGVth0，反型态： 当VG超过某一阈值Vth时， 表面处禁带中央能级Ei降到EFs以下， 导带底离费米能级更近，表明电子浓度超过空穴浓度，已有P型变为N型，这种状况为“反型状态”。 显然，从反型层到半导体内部之间还夹有耗尽层。 稳态下的MOS电容器 VGVth0，反型态： 弱反型：当表面势Vs增加到等于体内费米势时，表明表