TFTLCD新技术.材料.pptx

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2016-12-01 发布于湖北
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TFT-LCD新技术介绍;; ;玻璃基板;Mo/Al/Mo Bus Line;;□ 应用Mo/Al/Mo的他社(S, B社)是使用Post Bake Skip的PR;3. Mask技术比较_GTM / HTM / SSM;ITEM;1.1 4Mask-Photo工艺 ;;1.1 4Mask-Photo工艺 ;1.1 4Mask-Photo工艺 ;1.1 4Mask-Photo工艺 ;CSOT 4Mask;;;;;Gate Driver On Array;SS 13T1C design;Conventional Type;1.3 High aperture ratio (Low k PVX);;1.3 High aperture ratio (Low k PVX);-. 通过使用low K材料可以实现高开口率以及平坦TFT基板的目的;光敏性材料制程（正性材料与负性材料）;;1. SE制程完成;3-2. 黄光: 曝光显影 -. 制程同现有TFT制程;;附着力工艺条件摸索;;Via Hole 稳定形成;60s;Ion↑, Vth ↓;Bad Via;1.3 High aperture ratio(Low k PVX);Appendix- Material Detail properties;Appendix- Material Detail properties;2.COA-优劣与应用;2.COA–Process Flow;2. COA - Mask Flow ;3.1 VA;Multi-domain Vertical Alignment;Improved MVA：Real-Virtual Protrusions;Advanced MVA (AMVA);Normal PVA: Wedge shape;3.1 VA - ASV;3.1 PSA - Continuous Pinwheel Alignment);3.2 Homogenous Alignment – IPS Vs FFS;FFS中的Array电极及Array制程;;PXL Design (TN, IPS, U-FFS);;* Picture from TFT central, http://www.tftcentral.co.uk/articles/panel_technologies.htm;‘98;Appendix: iPad Reverse ;Array Process;4 总结 ;5 测试;;Appendix: Bottom Gate type Vs Top Gate type