忆阻器及忆阻混沌电路预案.ppt

由电路基本理论可知，电路和元件特性是有四个基本变量来描述的，分别为四个电路变量电压（V）、电流（I）、磁通量（φ）和电荷量（Q） a.电压和电流关系→电阻器R b.电压和电荷关系→电容器C c.电流和磁通关系→电感器L 上述四个电路变量两两之间可以建立六个数学关系式，其中五对关系式已经为大家所熟知——分别来自R、C、L、Q 的定义和法拉第电磁感应定律（如图1所示），但φ、Q 间的关系却一直没被揭示。 1 引言 根据图1中基本变量组合完备性原理，，美国加州大学伯克利分校华裔科学家蔡少棠于1971年从理论上预测了描述电荷和磁通关系元件的存在性，并且定义这类元件为记忆电阻器（简称忆阻器，英文名称为Memristor）. 忆阻器具有其他三种基本元件任意组合都不能复制的特性，是一种有记忆功能的非线性电阻，可以记忆流经它的电荷数量，通过控制电流的变化可改变其阻值。 2008年5月，惠普公司实验室研究人员Strukov等在Nature上首次报道了忆阻器的实现性，其研究成果震惊了国际电工电子技术世界，极大的唤起了人们开展忆阻器的全方位研究的兴趣。 2008年11月，美国加州大学Pershi和Ventra二位学者在Physical Review B上发表文章，描述了在半导体自旋电子器件中发现了自旋记忆效应，提出了自旋电子忆阻器器件。 通过忆阻器的电流可以改变其电阻，而且这种变化当断电时还能继续保护，从而使得忆阻器成为天然的非易失性存储器。 忆阻器的出现，将不仅使得集成电路元件变得更小，计算机可以即开机关，而且拥有可以模拟复杂的人脑神经功能的超级能力。 因此，忆阻器的记忆特性将对计算机科学，生物工程学，神经网络，电子工程，通信工程等产生极其深远的影响，同时，忆阻电路的存在，使基础元件由电阻，电容和电感增加到四个，忆阻器为电路设计及其忆阻电路应用提供了全新的发展空间。 2 忆阻器模型 2.1 忆阻器的定义 2.2 物理器件模型 2.3 数学理论模型 2.3.1 分段线性模型 2.3.2 三次型非线性模型 2.3.3 二次型非线性模型 2 忆阻器模型 2.1 忆阻器的定义 忆阻器是一个基本的无源二端元件，它的磁通量φ 与累积的电荷q 之间的关系可以用φ -q 或q- φ平面上的一条曲线f(φ ，q) = 0 来确定，忆阻器分为荷控忆阻器和磁控忆阻器两种，如图2所示 图1( a) 中的荷控忆阻器可以用q- φ 平面上一条通过原点的特性曲线 = φ( q) 来表征，其斜率即磁链随电荷的变化率 称为忆阻，流过的电流i(t)与两端的电压u(t)之间的伏安关系（VCR）可以描述为u(t) =M(q) i(t) ． 图1( b) 中的磁控忆阻器可以用 -q 平面上一条通过原点的特性曲线q = q(φ) 来表征，其斜率即电荷随磁链的变化率 称为忆导，流过的电流和两端的电压之间的伏安特性可以描述为i（t）= W(φ) u(t)． 这里M(q) 和W(φ) 均是非线性函数，且取决于忆阻器内部状态变量q 或 φ ． 2.2 物理器件模型 忆阻模型种类很多，大致可以分为二大类：物理器件模型和数学理论模型。 分类： 基于金属和金属氧化物的纳米级忆阻器（惠普实验室） 基于电子磁性特性的电子自旋忆阻器 基于具有亚纳秒开关特性的氧化钽忆阻器 基于具有亚纳秒开关特性的铁电忆阻器 基于具有亚纳秒开关特性的铁电隧道忆阻器 基于具有亚纳秒开关特性的发光忆阻器 研究在所有忆阻物理器件模型中，研究并应用最为广泛的是HP TiO2忆阻线性杂质漂移模型和HP TiO2忆阻非线性窗函数模型。 图3 为惠普实验室给出的纳米级忆阻的基本模型 该忆阻元件是由未掺杂部分与掺杂部分组成的，D 为元件的长度，w(t) 为元件的掺杂区域的宽度，μv为离子在均匀场中的平均迁移率。当w(t) = 0 时，对应的元件电阻值为ＲOFF，当w(t) = D 时，对应的元件电阻值为ＲON。忆阻元件上流过的电流i(t) 与w(t) 变化率成线性关系。。 HP TiO2忆阻线性杂质漂移模型和非线性窗函数模型可以统一表示为: 式中：i为输入电流； v 为输出电压； RON.ROFF和k 为系统参数； x为状态变量； M(x)代表忆阻模型的忆阻器； Fn(x)(n=1,2,3,4,5)分别代表HP线性窗函数和4种非线性窗函数 其中 F1(x)=1；