【嵌入式】.03.4嵌入式系统原理与设计.docVIP

课前复习： SDRAM 突发传输 同一行 起始地址 NorFLASH 读 CE#低 OE#低 WE#高 A0~A18 D0~D7 擦出 写1 片 6个周期 6s 块 6个周期 0.7s 写 写0 4个周期 AIn 9μs 字节编程 DIn NAND FLASH 4096块 32页 （512+16）字节 （64M+2M） CLE高 ALE低I/O 命令 CLE低 ALE高I/O 地址 CLE低 ALE低I/O 数据 发命令——发地址——数据 图上没有A8,A8是由以下两条命令提供 读上半页命令 00h A8=0 读下半页命令 01h A8=1 ( A0~A7属于[0,255] ) 正文： 2.读操作 ①读上半页 发出命令00h→4个周期地址→经过15μs数据从页送往寄存器→从I/O读数据 ②读下半页 01h→4个周期地址→经过15μs数据从页送往寄存器→从I/O读数据 ③读备用区 50h→4个周期地址→经过15μs数据从页送往寄存器→从I/O读数据 A0~A3 A4~A7 忽略 ④多页连续读 页内最后一列被读出后，下一页数据自动被载入页寄存器 15μs 3.写操作（页编程） 200μs 80h→4个周期地址→写数据到页寄存器→10h→芯片自动写入 通过 R/B# （高结束） FLASH状态寄存器第6位（1结束） CPU 通过FLASH状态寄存器第0位判断是否成功（0成功） 4.块擦除 4096块=212 60h→3个周期地址→D0h→芯片自动擦出 2μs A14~A16 A9~A13 忽略 A17~A24 A25 5.块保护 41h：禁止写 命令 42h：禁止擦出 43h：禁止写和擦出 41h~43h→80h→块地址（4个周期）→10h→芯片自动执行 200μs A0~A7 全0 A9~A13 A14~A16 全0 A17~A24 A25 6.器件ID读操作 90h→00h→厂家ID、器件ID、第三附属ID、第四附属ID 7.复位操作（可以终止正在进行的读、写、擦出操作） 读 5μs FFh 写 10μs 擦出 500μs 六、NorFLASH和NANDFLASH比较（必考！！！！10分左右） ①接口差别： NOR 提供足够的地址引脚寻址； NAND采用8个位引脚传递命令、地址和数据。 ②性能差别： NOR地址线和数据线分开，传输效率高，读取速度比NAND快，但擦出和写入速度要比NAND慢得多。 ③容量和成本：NAND容量大于NOR容量，成本低与NOR。 ④可靠性和耐用性：NAND擦写次数约为100万次，NOR约为10万次；尺寸上NAND比NOR小8倍，NAND容易发生位翻转，可靠性略差。 ⑤软件支持：在NOR上运行代码不需要任何软件支持；在NAND上进行同样操作需要驱动程序，即内存技术驱动程序（MTD） ⑥市场取向比较：NOR用于对数据可靠性要求比较高的代码存储应用，如通信产品和网路处理等领域；NAND则用于存储容量较高的MP3、存储卡、U盘等领域、 七、S3C2410 / S3C2440地址空间划分 逻辑地址空间：232=4G 外部地址空间：1G 0x0000_0000~0x4000_0000 (_用于4位一区分，只是个符号，无具体意义) 内部地址空间：3G（寄存器地址范围0x4800_0000~0x5FFF_FFFF，剩余空间闲置） 1.外部地址空间划分 闲置——128M BANK7 SDRAM 64M 0x3000000~0x33FFFFFF——128M BANK6 扩展串口A B——128M BANK5 10/100M网卡——128M BANK4 10M网卡——128M BANK3 IDE接口控制块寄存器 16字节——128M BANK2 IDE接口命令寄存器 16字节——128M BANK1 NorFLah 2M 00x00FFFFFF——128M BANK0 CPU提供8个片选引脚nGCS0~nGCS7 128M=227 CPU又引出27根引脚用于地址选择 S3C2410 GPIO 117 其余全为专用引脚 272 2.内部地址空间 存储控制器（SDRAM）：0x4800_0000~0x480