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硅片相关知识 单质硅有 无定形及晶体 两种。 无定形硅为灰黑色或栗色粉末，更常见的是无定形块状，它们是热和电的不良导体、质硬，主要用于冶金工业（例如铁合金及铝合金的 生产）及制造硅化物。 晶体硅是银灰色，有金属光泽的晶体，能导电（但导电率不及金属）故又称为金属硅。高纯度的金属硅（≥99．99％）是生产半导体的材料，也是电子工业的基础材料。 一、单晶硅 掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。 由于半导体技术不断向高集成度，高性能，低成本和系统化方向发展，半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。 单晶硅片分类 单晶硅片按使用性质可分为两大类：生产用硅片和测试用硅片。 ? ? 半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。 单晶硅棒的品质和规格 单晶硅棒的主要技术参数： 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率 0.0001ohm.cm-100ohm.cm 电阻率均匀性 25% 位错密度 无位错 OISF密度 500cm２ 氧含量 根据客户要求 碳含量 1ppma 主要考面取向密度 根据客户要求 其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。 测试方法电阻率：用四探针法。OISF密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。碳含量：利用红外分光光度计进行检测。 单晶硅抛光片品质规格 单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数： 厚度（T） 200-1200um 总厚度变化（TTV） ＜10um 弯曲度（BOW） ＜35um 翘曲度（WARP） ＜35um 单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕 单晶硅片主要技术参数 单晶制备方法CZ 导电类型 P 掺杂剂 B 晶向 ＜100＞ 晶向偏离度 ＜±2° 电阻率范围1-3Ωm 少数载流子寿命 ≥8μs 氧含量≤1.0×1018/cm3 碳含量 ≤5.0×1016/cm3 硅片尺寸 125×125±0.5mm;156×156±0.5mm 硅片直径 150±0.5mm;165±0.5mm;00±0.5mm 倒角宽度29.76±1.0mm;12.23±1.0mm(150;165) 厚度 200±20μm 总厚度变化 ≤30μm 线痕 ≤15μm 翘曲度≤30μm 崩边 外观 山东舜亦新能源有限公司 例2.嘉兴五神光电材料有限公司 品名 类型 掺杂剂 边长尺寸 直径 电阻率 少子寿命 氧含量 碳含量 厚度 总厚度变化 弯曲度 晶向 6英寸单晶硅片 P B 125*125±0.5mm 150±0.5mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 200±20μm ≤50μm 200±20μm 〈100〉±1° 6.5英寸单晶硅片 P B 125*125±0.5mm 165±0.5mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 200±20μm ≤50μm 200±20μm 〈100〉±1° 8英寸单晶硅片 P B 156*156±0.5mm 200±0.5mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 200±20μm ≤50μm 200±20μm 〈100〉±1° 品名 类型 掺杂剂 边长 直径 电阻率 少子寿命 氧含量 碳含量 晶向 位错密度 6英寸单晶硅圆棒 P B / ≥153mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 〈100〉±1° ≤1000 ea/cm2 6.5英寸单晶硅圆棒 P B / ≥168mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 〈100〉±1° ≤1000 ea/cm2 8英寸单晶硅圆棒 P B / ≥203mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 〈100〉±1° ≤1000 ea/cm2 6英寸单晶硅方棒 P B 125*125±0.5mm 150±0.5mm 1-3Ω.cm或3-6Ω.cm ≥10μs 1×1018atoms/cm3 5×1016atoms/cm3 〈100〉±1° ≤1