第1章 半导体发光材料及器件分析.pptVIP

简并半导体形成的PN结，在热平衡时， N区导带底被电子占据的概率 P区价带顶被电子占据的概率 N区和P区被耗尽层分割，N区自由电子不能进入P区复合。 当正偏时，外加加压减小了耗尽层厚度，当外加电压为Eg时，耗尽层消失，P区和N区接触。 粒子数反转： 当加在PN结上的正向电压超过某一值（eVEg）后，PN结的某段区域中导带底的电子数大于价带顶电子数，出现粒子数反转。该区域称为增益区(有源区) 。 粒子数反转的理解： 外电场、电子和空穴的注入、扩散、复合。 在PN结的某段区域，自由电子、空穴的浓度同时增大（电子占据导带的概率提高，占据价带的概率减小）。 当电流增加到某个值时，自由电子、空穴的浓度足够大，实现粒子数反转。 常用半导体材料的禁带宽度： Ge、 Si、 GaAs 0.66eV、1.12 eV、1.42 eV GaAs的禁带宽度： 1.42 eV 普朗克常数 h= 6.626068 × 10-34 m2 kg / s e=1.6021892×10-19C P－N 结的厚度仅几十微米； 谐振腔一般是直接利用垂直于P－N 结的两个端面（解理面） GaAs的折射率n＝3.6，反射率0.32，另一面镀全反射膜。 法布里-珀罗腔，简记为F-P腔 F-P腔：平行平面腔，它由两块平行平面反射镜组成。又称为法布里-珀罗