34正弦波振荡器37压控振荡器课程.ppt

高频电子线路 第三章 正弦波振荡器 压 控 振 荡 器 学习要求: 掌握压控振荡器的工作原理及相关计算 3.7 压 控 振 荡 器 变容二极管是利用ＰＮ结的结电容随反向电压变化这一特性制成的一种压控电抗元件。变容二极管的符号和结电容变化曲线如图3.4.1所示。 变容二极管结电容可表示为:  Cj= 其中ｎ为变容指数, 其值随半导体掺杂浓度和ＰＮ结的结构不同而变化, Ｃj（0）为外加电压u＝０时的结电容值, UB为ＰＮ结的内建电位差。 3.7.1 变容二极管 变容二极管必须工作在反向偏压状态, 所以工作时需加负的静态直流偏压－UQ。若交流控制电压uΩ为正弦信号, 变容管上的电压为: u=-(UQ+uΩ)=-(UQ+Uωm cos Ωt) 代入式(4.5.1), 则有: 其中静态结构电容 结电容调制度 将变容二极管作为压控电容接入ＬＣ振荡器中, 就组成了ＬＣ压控振荡器。一般可采用各种形式的三点式电路。  需要注意的是, 为了使变容二极管能正常工作, 必须正确地给其提供静态负偏压和交流控制电压, 而且要抑制高频振荡信号对直流偏压和低频控制电压的干扰, 所以, 在电路设计时要适当采用高频扼流圈、旁路电容、隔直流电容等。  无论是分析振荡器还是压控振荡器都必须正确画出振荡器的直流通路和高频振荡回路。对于后者, 还须画出变容二极管的直流偏置电路与低频控制回路。 例4.6说明了具体方法与步骤。  3.7.2变容二极管压控振荡器 画变容二极管直流偏置电路： 将与变容二极管有关的电容开路, 电感短路, 晶体管的作用可用一个等效电阻表示。 由于变容二极管的反向电阻很大, 可以将其它和它相连的电阻作近似处理。如本例中变容二极管的负端可直接与15 V电源相接, 见图(c)。  例 3.6 画出图例3.42(a)所示中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡器中晶体管的直流通路和高频振荡回路, 变容二极管的直流偏置电路和低频控制回路。 解: 画晶体管直流通路：将所有电容开路、 电感短路, 变容二极管也应开路, 因为它工作在反偏状态, 如图(b)所示 画高频振荡回路与低频控制回路前, 应仔细分析每个电容与电感的作用。对于高频振荡回路, 小电容是工作电容, 大电容是耦合电容或旁路电容, 小电感是工作电感, 大电感是高扼圈，变容二极管也是工作电容。保留工作电容与工作电感, 将耦合电容与旁路电容短路, 高扼圈开路, 直流电源与地短路, 即可得到高频振荡回路, 如图(d)所示。正常情况下, 不需画出电阻。  判断工作电容和工作电感： 一是根据参数值大小 二是根据所处的位置 电路中数值最小的电容(电感)和与其处于同一数量级的电容(电感)均被视为工作电容(电感), 耦合电容与旁路电容的值往往要大于工作电容几十倍以上, 高扼圈的值也远远大于工作电感。 将与变容二极管有关的电感短路(由于其感抗相对较小), 除了低频耦合或旁路电容短路外, 其它电容开路, 直流电源与地短路即可。 判断依据： 工作电容与工作电感是按照振荡器组成法则设置的 耦合电容起隔直流和交流耦合作用 旁路电容对电阻起旁路作用 高扼圈对直流和低频信号提供通路, 对高频信号起阻挡作用 低频控制通路： 1、压控灵敏度：为单位控制电压引起的振荡频率的增量, 用Ｓ表示, 即 压控振荡器的主要性能指标： 图3.43为变容二极管压控制震荡器的频率一电压特性。 一般情况下，是非线性的，其非线性程度与变容制数和电路结构有关。 在中心频率附近较小区域内线性较好，灵敏度也较高. 中心震荡频率： 所以： 解： 静态时的总电容： 所以 由 结论：正向和负向压控灵敏度略有差别, 说 明压控特性是非线性的 可求得压空灵敏度 右图晶体压控振荡器高频等效电路中, 晶振作为一个电感元件。 控制电压调节变容二极管的电容值, 使其与晶振串联后的总等效电感发生变化, 从而改变振荡器的振荡频率。 3.7.3 晶体压控振荡器 1、晶体压控振荡器晶振的作用： 等效为一个短路元件, 起选频作用 等效为一个高Ｑ值的电感元件, 作为振荡回路元件之一 通常仍采用变容二极管作压控元件 为了提高压控振荡器中心频率稳定度, 可采用晶体压控振荡器。 晶体压控振荡器的缺点是频率控制范围很窄；图3.44所示电路的频率控制范围仅在晶振的串联谐振频率ｆs与并联谐振频率ｆp之间 为了增大频率控制范围, 可在晶振支路中增加一个电感Ｌ。 2、频率控制范围的扩展 晶振的电抗频率曲线 加入的电感L的电抗特性 扩展后的总电抗频率曲线 晶振的电抗频