21晶体管原理_电子科大版课程.ppt

P型区和N型区的交界面称为冶金结面。设结面为平面 如果结的面积足够大,且掺杂相接的半导表面仅在垂直于结面的方向上可能发生变化, 就可以采用一维的半导体方程 在势垒区内任意位置处,载流子浓度乘积为 在　　处 将上式两边同时对x 从-∞到0进行积分，并利用边界条件 以上为平衡时的情形。当有外加电压Ｖ时，最大电场强度成为 2.中性近似的适用性 一般非均匀掺杂的”中性区”, 杂质浓度的不均匀导致平衡多子浓度的不均匀 在线性缓变结中：n(x)=ND=ax, 代入式(2.39)后得 所以，势垒区外的电场强度比势垒区内的电场强度小很多 采用杂质扩散工艺制造的PN结称为扩散结 在平衡态下: 由此式解出自建电场E 在突变结的N型中性区内, n=ND=常数，得 E(x)=0, 在Ｐ型中性区也有同样的结论。所以在突变结的势垒区以外区域，电中性成立 (2.39) 自建电场在位于Ｎ型中性区与势垒区的边界处有最大值 同理，财在Ｐ型区： 势垒区内的最大电场： * PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 第 2 章 PN 结 分析方法：将 PN 结分为三个区，在每个区中分别对半导体器件基本方程进行简化和求解。 P 区 NA N 区 ND 此外,凡未做特别说明, 均假设P型区和N型区的长度远大于该区的少子扩散长度 突变结：P 区与 N 区的杂质浓度都是