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InSb半导体的能带结构 以ZnS为例。有人视ZnS为具有Zn2+S2-结构的离子晶体。晶体结构具有闪锌矿或者接近纤锌矿结构。它们与4个相邻原子形成共价键合，但是由于Ⅵ族元素电负性高，所以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的离子性比Ⅲ-Ⅴ族化合物的强。 这类半导体带隙比Ⅲ-Ⅴ族类稍宽，更接近于绝缘体。 如果Ⅲ、Ⅶ族元素作为杂质进入这类半导体中，则它们将成为施主，Ⅰ和Ⅴ族元素作为杂质进入这类半导体，则这类杂质将成为受主。 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体能带结构 过渡金属氧化物中的阳离子的3d能级没有充满，若相邻间3d电子波函数的耦合十分强烈，则可以设想，由于3d带的存在可能产生金属的导电性。例如TiO、V2O3等则显示金属性质。 若3d电子被局限在各自的离子区域，那么这种氧化物就成为绝缘体。例如Fe2O3以及满足化学计量比的氧化镍，显示出绝缘体的性质。这种情况下的3d能级称为局域能级。其电子只能采用跳跃方式进行运动。 为了使3d能级不满，一种办法是制备的晶体为非定比化合物，那么多余的成分为掺杂物，或者是向这种氧化物中掺杂离子，其原子价与原有金属离子的原子价之差为±1。后一种情况是控制杂质的原子价。把这种物质称为原子价控制型半导体。 过渡金属氧化物的性质 氧化物 3d电子数 迁移率 ㎡/（V·S） 导电形式 原子价控制法