第四章_溅射镀膜.ppt

* Z方向的运动简单，可以不考虑。 对（1）式对t微分，代入（2）式得。 积分（3）式，可解出vx表达式，其中v0，δ为初始条件决定的常数： * 同样计算vy有： 由dx=vxdt，dy=vydt，计算x、y得到，其中x0，y0为待定常数： 从（5）（6）可知，带电粒子的运动是圆周与直线运动的和。 用-e代替q得到电子的圆周半径为： 即拉莫半径 * 电子的漂移速度（直线运动部分）： （7）中v0的大小虽然不能确定，但我们可以假定它和电子在固体内部的热运动速度大体相等，即 令ωe≡eB/m，ωe称为电子的回转频率。 * 因此，可以看出：二次电子的回转频率很高（109/s），回转半径很小（10-5m）。对于环形磁场区域，称作跑道。磁力线由跑道的外环指向内环，横贯跑道。靶面发出的二次电子，在电场、磁场的作用下，沿着跑道跨越磁力线做旋轮线型的跳动，并以这种形式沿着跑道转圈，增加与气体原子碰撞的几率。 * 所以磁控溅射可以克服二极、三极溅射的缺点，原因在于以下4点： （1）能量较低的二次电子只在靠近靶的封闭等离子体中循环运动，路程长，每个电子使气体原子电离的机会增加，而且只有电子的能量耗尽后，才能脱离靶表面，落在阳极上。这是基片温升低、损伤小的主要原因。 （2）高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不和基片接触。所以电离产生的正离子能十分有效地轰击靶面，基片也免受等离子体的轰击。（3）由于提高了电离效率，工作压力可以降低到10-1～10-2Pa，从而减少工作气体对被溅射原子的散射作用，提高沉积速率。 （4）由于电子与气体原子的碰撞率高，因此气体离化率大大增加。放电气体（等离子体）的阻抗大大降低，从而降低了溅射电压，同时溅射速率数量级地增加。 * * 磁控溅射源简介： 三种类型： 1.柱状磁控溅射源(a)(b)；结构简单、适合大面积生产 2.平面磁控溅射源(c)圆形小靶适合贵金属，矩形适合一般靶材，可做大靶。结构简单、造价不高、通用性强、应用广泛。 3.溅射枪（S枪）(d)结构复杂、一般要配合行星式夹具用。靶材利用率高，膜厚分布均匀。 VIDEO * * 溅射枪（S-枪）磁控溅射源 溅射枪（s-枪）为环形磁控溅射源或锥型环状磁控溅射源，有Clarke发明，如图所示。圆盘状阳极与阴极同轴，并位于阴极中心，环形磁铁套在阴极外侧。由于上述E×B的电磁场布置，在阴极近旁形成强等离子体（如图），而使溅射原子向外喷射，形成所谓喷枪式的结构。喷射的溅射原子沉积在与阴极相对布置的基片上。S-枪多采用永磁结构，接近阴极表面的场强一般控制在1.5×10-2 T左右。以沉积铝和铝合金为例，典型的运行参数是：电源功率700V×10A，阴极刻蚀区的功率密度50W/cm2，溅射气压0.1～1Pa，沉积速率为几十纳米/分。 * 溅射枪的特点： （1）靶的冷却效果好，允许的功率密度高。 （2）靶的利用率高（如图）。S-枪溅射源靶形状设计的很巧妙，腐蚀最深的地方是靶材最厚的地方，即以不等厚的靶材来适应不均匀的腐蚀，因此S-枪的靶材利用率一般可达50%以上。但靶加工成锥型，材料切削加工浪费大，加工要求高。 （3）靶整体作为插入件，装卸方便。 （4）溅射能量分布不均匀。被溅射出的材料按极坐标的分布（如图），这样，S-枪不宜与基片对面放置，而必须以基片的随机运动来达到沉积的均匀性。具体来说，基片要求行星式两维的运动。这些要求使得S-枪高速的效果没有充分发挥出来，因此在大面积镀膜和连续镀膜中，难以得到推广和发展。 * 平面磁控溅射源 是目前应用最广泛的磁控溅射源。磁控溅射的优点在这里反映的最充分。特别是它适合于工业生产型的溅射装置，便于连续化，自动化生产，因此国内外都得到迅速的发展。其工作参数通常为：溅射气压10～0.1 Pa，靶表面水平场强最大值(2～5)×10-2 T，溅射电压300～800 V，靶面的平均电流密度0.5～0.6 mA/cm2，功率密度1～36 W/cm2，基片与靶的距离2～10 cm。在上述条件下，一般单元素的沉积速率102～103 nm/(kW min) 特点： （1）靶材结构简单，加工方便，通常是一张3～6 mm厚的平板。 （2）既可以采用电磁靶，又可以采用永磁靶。采用电磁靶可以通过调节励磁电流改变场强的大小和分布，达到恒速溅射的目的；采用永磁靶，通过多块磁铁的不同布置，可以在宽度，长度，方向上任意改变和无限扩展平面溅射源的尺寸。 （3）通过改变磁体布局可以扩大溅射沉积的均匀区。 （4）基片不要求做复杂运动，而且基片与源的距离可以保持在对溅射速率最有利的距离。 VIDEO * 磁控溅射存在的问题 （1）不能实现磁性材料的低温高速溅射； （2）使用绝缘材料会使基板温度上升； （3）靶材料的利用率较低（30％），由于跑道优