66、HLD-MRE-II磁阻效应实验仪.docVIP

近代物理实验报告 专业： 应用物理 班级：11级 指导教师： 彭云雄 姓名： 徐铭泽 陆婷婷 高云 实验时间 2013年12月23日 实验地点：K7-107 实验名称： 磁阻效应实验 同组人：陆婷婷，高云 徐铭泽 一、实验目的 测量电磁铁的磁感应强度与励磁电流的关系和电磁铁磁场分布。 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。 二、实验原理 图1 磁阻效应原理 一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。 如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（B）-R（0），因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。 图2 图2所示实验装置，用于测量磁电阻的电阻值R与磁感应强度B之间的关系。实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。 如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量ΔR/R（0）正比于B2，则磁阻传感器的电阻值R将随角频率2ω作周期性变化。即在弱正弦波交流磁场中，磁阻传感器具有交流电倍频性能。若外界交流磁场的磁感应强度B为 B=B0COSωt （1） （1）式中，B0为磁感应强度的振幅，ω为角频率，t为时间。 设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB2 （2） （2）式中，K为常量。由（1）式和（2）式可得 R(B)=R(0)+ΔR=R(0)+R(0)×[ΔR/R(0)] =R(0)+R(0)KB02COS2ωt =R(0)+R(0)KB02+R(0)KB02COS2ωt （3） （3）式中，R(0)+R(0)KB02为不随时间变化的电阻值，而R(0)KB02cos2ωt为以角频率2ω作余弦变化的电阻值。因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生倍频交流电阻阻值变化。 三、实验仪器 HLD-MRE-II型磁阻效应实验仪：包括直流双路恒流电源、0-2V直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪（GaAs作探测器）、锑化铟（InSb）磁阻传感器等组成。 四、实验内容和步骤 测量电磁铁励磁电流IM与电磁铁气隙中磁感应强度B的关系（测量电磁铁磁化曲线） 对准航空插头座缺口方向,用双头航空插头线连接实验装置和实验仪传感器接口，传感器固定印板转出电磁铁气隙, (以减小电磁铁矽钢片残磁影响)，预热10分钟后调零毫特仪，使其显示0.0mT。 连接电磁铁电流输入线，置传感器印板于电磁铁气隙中,将电磁铁通入电流，调励磁电流变化依次为：0,100,200…800mA。记录励磁电流和电磁感应强度在表1中，并绘制电磁铁磁化曲线， 表１ IM/mA 0 100 200 300 400 500 600 700 800 B/mT 8.2 25.5 59.2 93.2 126.9 160.9 194.3 227.7 260.1 其中励磁电流IM=0时，B≠0，表明电磁铁有剩磁存在。 2.测量磁感应强度和磁电阻大小的关系 1）按图2所示将锑化铟（InSb）磁阻传感器与外接电阻（接线柱上已装电阻，也可外接电阻箱）串联，并与可调直流电源相接，数字电压表的一端连接磁阻传感器和电阻(或电阻箱)公共接点，作为测量参考点，单刀双向开关可分别与串接电阻、磁电阻InSb切换，用于测量它们的端电压。 2）由测量磁阻传感器的电流及其两端的电压，求磁阻传感器的电阻R；调节通过电磁铁的电流，改变电磁铁气隙中磁场，由毫特仪读出相应的B，求出ΔR/R(0)与B的关系。作ΔR/R（0）与B的关系曲线，并进行曲线拟合。 一般地，可保持锑化铟磁阻传感器电流或电压不变的条件下，测量锑化铟磁阻