《Electrochemical Kinetics at Ordered Graphite Electrodes》.ppt

Comment on Electrochemical Kinetics at Ordered Graphite ElectrodesRichard L. McCreery Mark T. McDermott * 单晶石墨 （图1a）随着因子大于100，比金更低的DOS值，在费米能级带有一小部分重叠的价带和电导带。 yeager和gerischer首先指出，一个HOPG基底平面电极的低电容现象产生的原因是近费米能级的低DOS值。碳纳米管的DOS值取决于它们的直径，碳纳米管在以“金属” 管，“半导体”管形式存在时也同样适用。 图1B显示的是 碳纳米管的DOS值受到氧化还原反应的轨道能级影响而产生显著的变化，同时还会有对观测得的电子转移速率的显著影响。 一个在平面上具有无穷维度的单层石墨烯片，在费米能级上的DOS值为0. ( 图1C， 绿色曲线），相反的，HOPG则表现出，具有~60 MeV的重叠的价带和导电带。我们还注意到，图1上的DOS值的点用来计算理想结构易受到缺损的影响。 有限层数的石墨烯的边缘终止的特性会极大的影响费米能级附近的DOS值。（图1D）。 在HOPG动力学研究上，我们将电容，蒽醌2,6-二磺酸（AQDS）的吸附以及扫描隧道显微镜所观测的基底平面上的边缘的平面缺陷的覆盖及的K值三者相关联，如图2所示。（接下来的三个小图）图2表明，K值，电容，和 电化学测定的AQDS覆盖度（ΘAQDS）在缺陷的区域上是有线性相关性的 *