LED发光二极体原理概述.ppt

* 教育訓練 - LED發光二極體原理 * 內容: 1. 簡介 2. 基本原理 3. 光電特性 簡介 Light Emitting Diode, 簡稱 LED 中文譯: 發光二極體(台灣地區) 發光二極管(大陸地區) 包含可見光(Visible)與不可見光(Invisible) 屬於光電半導體的一類 在結構上包括P極(P-Type)與N極(N-Type) LED的五大物料與五大製程 LED示意圖 晶片的結構( I ) 四大結構: P型層, N型層, 基層(Substrate)與電極 電極分上電極及下電極 材料部份有Al及Au 依P型層及N型層的位置, 分為兩種: P型層在上, 則為P-type N型層在上, 則為N-type 基層一般為GaAs, GaP,…等 晶片的結構( II ) 一般基層(Substrate)的材料, 如GaAs, 有吸收光之特性, 稱為AS type, 將造成發光效率變差, 解決此問題的方法, 目前有兩種: 磨除基層 更換基層為 TS type SRDRUR 晶片的製程 晶片的材料及其發光顏色 LED發光效率的演化 週期表 LED晶片的元素為III-V族化合半導體 基本原理 材料的排列模式: Si 原子內各層的穩定電子數: 2, 8, 8, …..個 矽的外層電子 數為4個電子 N-type的排列模式: Si + As 在Si的排列中放入As,則將多出一個電子, 在結構上是為帶負電(Negative),故定義為N-type. P-type的排列模式: Si + B 在Si的排列中放入B, 在結構上將少一個電子, 可視為帶正電(Positive)的空域,稱為電洞(hole), 定義為P-type. 工作原理 LED的符號 P層與N層之接合狀況 LED之通電狀況 順向電壓 逆向電壓 P極接正電, N極接負電, 則LED發光; 反之, 則不發光 順向電壓(VF)v.s.順向電流(IF) 逆向電壓(VR)v.s.逆向電流(IR) LED適用於電流操作, 而非電壓 VR或IR的量測方法 VR =5V時, IR =10uA IR =10uA時, VR =5V 光電特性 lm: Lumen cd: Candela Sr: 表立體角, 在測試距離100mm時為0.01 * 教育訓練 - LED發光二極體原理