第2章视觉感知与图像的基本概念研讨.ppt

对于一个有256个灰度级，长度和宽度都为几百个像素的常见的图像来说，当然也可以按上述方法作出它的灰度直方图来，但是通常我们不去作那些密密麻麻的直线段，而是用一条通过所有这些直线段（假定这些直线段存在）的顶端的折线来描述它。如下图： 对于真彩色图像，可以作出三条（红、绿、兰）各有256个灰度级以及一条256级的亮度直方图来，也可以作出一条256级的混合直方图。如下图： 直方图的性质 所有的空间信息全部丢失。 每一灰度级的像素个数可直接得到。 直方图的用途 数字化参数：直方图给出了一个简单可见的指示，用来判断一幅图像是否合理的利用了全部被允许的灰度级范围。一般一幅图应该利用全部或几乎全部可能的灰度级，否则等于增加了量化间隔。丢失的信息将不能恢复。 边界阈值选取：假设某图像的灰度直方图具有 二峰性，则表明这个图像的较亮的区域和较暗的区域可以较好地分离，取这一点为阈值点，可以得到好的２值处理的效果。 * 具有二峰性的灰度直方图 * 利用灰度直方图进行阈值分割 * 作业 P30 2、3、5 * 加入眼球解剖图，重点讲解视网膜，从视觉感知的角度进行介绍 * 视锥体负责在白天摄住影像，视杆体则在夜间较敏感，负责在夜间或光线弱时摄住影像。 * * * * * 模数转换器(ADC) * dpi：dot per inch * * * * * 光线透过镜头照射到CCD上，并被转换成电荷，每个元件上的电荷量取决于它所受到的光照强度。 * CCD本身不能分辨色彩，它仅仅是光电转换器。 为了实现彩色输入，通常给CCD器件表面加以CFA（Color Filter Array，彩色滤镜阵列），或者使用分光系统将光线分为红、绿、蓝三色，分别用3片CCD接收。 光-电转换功能 在P 型单晶硅的衬底用氧化的办法上做一层厚度约为100～150nm 的SiO2 绝缘氧化膜,通过活化置换技术,再在氧化膜表面做出许多排列整齐的可透光的电极,当光线通过时,氧化膜与P 型单晶硅之间产生电荷,电荷的数量与光照强度及照射时间成正比,这就是ＣＣＤ的光电转换功能。 光电转换功能的物理基础是半导体的光吸收。当电磁辐射投射到半导体上，电磁辐射一部分被反射，另一部分透射，其余部分被半导体吸收。所谓半导体光吸收，就是电子吸收光子并从一个能态跃迁到另一个较高能级的过程。 （ii）电荷存贮功能 若在电极加上一个适当的正电压,则在电极和衬底之间产生一个电场,这个电场在P型硅中将载流子带正电的空穴排斥到衬底电极一边,在电极下硅衬底表面形成一个没有可动空穴的带负电的区域,这个区域称作电荷耗尽区,这就是能够吸引电子的势阱,电极上所加的电压越高,势阱越深,电荷留在阱内量越多,只要电压存在,电子就能储存在势阱里。 当景物的光照射到CCD 时,具有光敏特性的P 型硅在光量子的激发下产生电子-空穴 对,空穴移向衬底而消失,电子进入势阱并存储在那里,由于绝缘氧化物层使得电子不能 穿过而到达电极,因此存贮在势阱里的电子形成了电荷包,其电荷量的多少与光照强度成 正比,于是所有电极下的电荷包就组成了与景物相对应的电荷像。 (a)空势阱(b)填充1/3 的势阱(c)全满势阱 0 , （iii）CCD 电荷转移功能 势阱的深浅由电极上所加电压的大小决定。电荷在势阱内可以流动,它总是从相邻“浅 阱”里流进“深阱”中, 这种电荷流动称为电荷转移。 CCD 的电荷转移原理：若有规律改变电极电压,则势阱的深度就会随之变化,势阱内 电荷就可以按人为确定的方向转移,直到最终由输出端输出。 线阵CCD 摄像机：单元数有256，1024，2048，4096 等； 面阵CCD 摄像机： 传感器的列间垂直移位寄存器采用不透明的金属栅列，与传感器一一对应。 场正程，光生信号电荷进行积分，在一场积分（收集光生载流子）完毕后， 在场回扫期间积分区都加帧转移高速时钟脉冲，使光生电荷区的整场图像快 速地转移到存储区（垂直寄存器中）。 在下一个场扫描正程时间内，存储区在行转移垂直寄存器时钟脉冲驱动下， 将整场光生信号电荷以一次一行的方式将信号电荷转移到水平移位寄存器 内，每一行在一个行扫描逆程内完成，各行之间的间隔为一个行扫正程。因 此正好在一场扫描正程时间内全部信号电荷输出完毕，而这个时间也正好是 新图像信号电荷的积累时间。 水平寄存器在一个行扫正程时间内，在水平时钟脉冲驱动下，将信号电荷逐 位移到输出二极管，在行逆程时间内又接收下一行信号电荷。 * 线阵CCD：结构简单，成本较低。可以同时储存一行电视信号.由于其单排感光单元的数目可以做得很多，在同等测量精度的前提下，其测量范围可以做的较大，并且由于线阵CCD实时传输光电变换信号和自扫描速度快、频率响应高，能够实现动态测量，并能在低照度下工作，