CIGS基础知识讲课.ppt

历史 　　CIS由Hahn于1953年发明。 　　贝尔实验室70年代早期 开始将其用作太阳能电池 　　80年代波音和ARCO 分别用共蒸和溅射硒化法作进一步研究，将CIS掺镓成为CIGS 　　目前最高效率19.5% CIGS优点 　　1.高效率(19.5%，近于非晶硅)　2.稳定性(无衰减，耐辐照)　３.低成本(薄膜、连接)　4.钠效应　5.短能量偿还时间　6.适应于很多应用(弱光、空间、柔性基片)　 7.很多研究和发展空间　　　 CIGS的结构 物理性质 CIGS的性质 　　带隙：对CIS为1.04eV，CIGS随镓含量增多导带上升，带隙增加，CGS为1.65eV。 　　带隙增加也可以用硫代替硒，此时价带下降 　　电属性：富铜为p型　富铟为n型 　　典型的p型载流子浓度约1016/cm3 　　迁移率：薄膜高于块状　单晶高于多晶 　　空穴为15-200cm2/Vs 　　电子为90-900cm2/Vs 　　介电常数：低温下13.6±2.4 　　高温下8.1±1.4 　　电子的有效质量为0.09电子质量 　　重空穴为0.71电子质量 　　轻空穴为0.092电子质量 　　CIGS中的缺陷主要有：空位　取代原子　晶粒间界等　 表面和晶相 　　生长的CIGS一般为柱状多晶，典型晶体大小1微米，[112]晶向沿垂直薄膜厚度方向 电池组件结构 　　包括：基底、(阻挡层)、背电极、吸收层、(硫化镉缓冲层)、i-zno缓冲层、n-zno上电极层、(减反射层) 基底 　　基底有刚性的玻璃、陶瓷基底和柔性的金属、塑料基底。 　　一般用普通的钠钙玻璃。 　　金属基底要在金属上加绝缘阻挡层 　　塑料基底要注意所耐温度限制 　　硼硅玻璃热膨胀系数过低，聚酰亚胺热膨胀系数过高，要采用特殊工艺 阻挡层　 　　要求阻挡层的情况： 　　1.金属基板为求绝缘 　　2.外加钠源时准确控制钠浓度 　　阻挡层的材料： 　　氧化硅、氮化硅 　　沉积方式： 　　射频溅射 背电极　 　　背电极一般用钼，通常为直流溅射沉积，优点为稳定性、高反射率、低电阻，缺点为形成硒化钼 　　可能的替代材料为钽和铌 　　对双面电池，用导电氧化物层代替钼 吸收层沉积方法 　　主流沉积方法： 　　三步共蒸和溅射硒化 　　其他沉积方法： 反应溅射 　化学水浴沉积 　激光蒸发 第一缓冲层　 　　硫化镉缓冲层，优点是(111)面和CIGS(112)面匹配，缺点是环境问题 　　通常制造方法：镉盐+铬合剂+硫脲 化学水浴沉积 　　其他制造方法：真空蒸发　溅射　原子层化学气相沉积　电沉积 　　其他制造方法共同缺点：破坏吸收层 　　无镉缓冲层：欧洲法律规定所有电器必须无镉，暂不包括光伏装备 　　无镉缓冲层一般为锌和铟的硫属元素化物，制造方法和硫化镉相似 　　主要问题：效率不够高　光照下 产生亚稳态 第二缓冲层　 　　高阻本征氧化锌层，一般厚度50nm 　　优点：增加二极管性能 　　主要沉积方式：射频溅射 透明电极层 上电极　要求：n掺杂透明导电氧化物 高透明性、低厚度以降低光学损耗 低电阻、高厚度以降低串联电阻损耗 选用材料： 纯材料　氧化锌　氧化铟　氧化锡 组合材料　AZO　GZO　IZO　ITO 沉积方式　直流溅射(大规模)　射频溅射　反应溅射 划线 划线可为激光、光刻划线或机械划线 第一步钼层较硬，必须激光划线；第二步以后可用机械划线 线宽低时可能短路，线宽高时遮光损失大 划线间距低时遮光损失大，划线间距高时电阻损失大 一般死区总宽0.5-1mm，划线间距5-10mm，光学损失约10% 生产线 实际生产分为流水线生产和批处理 流水线生产自动进行，基片在传送带上匀速运动，但速度慢的处理过程需要很长的流水线 批处理自动或手动进行，一次进行很多基片的处理，处理速度慢时只要处理量大也能得到低成本 不同的工序可以两者结合起来　 生产成本 生产成本分为直接成本和间接成本 直接成本不随产量变化，主要是材料成本 降低直接成本的方式：提高材料利用率　降低次品率 间接成本随产量增加而降低，主要为设备成本 环境考虑 主要环境问题：镉污染、硒和硒源毒性、铟材料缺乏 解决办法： 废水除镉　镉替代 单质硒化 铟回收利用 发展方向 新生产技术：改进沉积装备　更好过程控制 新材料 轻和柔性基片(塑料、金属)　宽隙合金(含硫)　无钼背电极(钼合金、钽、铌)　无镉缓冲层(含锌、铟)　无铟吸收层(含锡) 　新的透明电极(高透光高导电性)　 新器件结构：无缓冲层　双面电池　多层电池 多层电池结构：宽隙在上，窄隙在下 初期低成本：非真空过程　 效率估计 光生电流影响短路电流 复合损失影响开路电压 电阻损失影响填充因子 钠效应 复合发生在各层界面、空间电荷区和块吸收层 最主要机制为CIGS空间电荷区SRH复合，因此需要在制备时减少复合