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光量子型红外传感器示意图 (a)PC型；(b)PV型；(c）PEM型;（d）ST型 ⑴光导PC型结构是电阻体光照后引起阻值变化; ⑵光电PV型为一PN结二极管,其耗尽层上由于光照射生成电子空穴对,检测由此产生的光电流; ⑶光电磁PEM型是利用PEM效应,即在加上电场及磁场的同时,由于光照而产生与光强成比例的感应电荷; ⑷肖特基型是根据金属与半导体接触形成的肖特基势垒随光照而变化的原理制备的。 红外传感器的光谱特性 常用的红外传感材料有Ge、Si、PbS、HgCdTe、InSb等。图给出了它们相应的光谱特性。这类传感器因与波长有关,故测量温度存在下限,例如PbS为100℃以上,Si为400℃以上。 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 芯片基底 2007 2．电压输出型集成温度传感器 代表性器件：LM135的主要参数（三端器件） 静态输出： 2.98V（+25℃ and IR =1mA） 测温范围：–55～ +150 ℃（LM135） 动态电阻：0.6Ω（+25℃ and IR =1mA） 动态输出：10mV/ ℃ LM135、LM235、LM335的封装外外形及引线 基本应用电路 恒流源供电电路 静态输出调整电路 串联扩展 灵敏度电路 2007 可归零电路（t =0℃；V0 =0） 调节2K电位器，可以实现当温度为0℃时，电路输出为零。 2007 LM135温差测量电路 用于测量两个温度传感器的温度差 2007 3．数字输出型集成温度传感器 （频率、I2C总线、一总线输出型） ⑴ AD7414 /I2C总线10位数字温度传感器 工作电压：+2.7V to +5.5V. 封装外形：SOT-23 测温范围：- 40℃ to +85℃ 测温精度：± 2℃（分辨率0.25℃） ⑵ DS1820型8/16一总线数字温度传感器 DS1820有关参数 工作电压：+3V to +5.5V. 封装外形：PR35 测温范围：-55℃ to +125℃ 测温精度：± 1℃（分辨率0.2℃） 2007 4．可编程半导体集成温控开关电路 典型器件举例AD22105 当器件温度超过编程设置点温度（由编程电阻RSET决定）时，2脚所连接的内部三极管导通（2脚为集电极），输出低电平，吸入电流可达10mA。 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 非接触型半导体温度传感器 温度为T的物体对外辐射的能量E与波长λ的关系,可用普朗克定律描述,即 εT为物体在温度T之下的发射率（也称为“黑度系数”,当εT=1时物体为绝对黑体）; C1为第一辐射常数（第一普朗克常数）,C1=3.7418×10-16 W·m2; C2为第二辐射常数（第二普朗克常数）,C2=1.4388×10-2 m·K。 根据斯特藩-玻耳兹曼定律,将上式在波长自0到无穷大进行积分,当εT=1时可得物体的辐射能 σb:黑体的斯特藩-玻耳兹曼常数,σb=5.7×10-8W·m-2·K-4; Tb是黑体的温度。 一般物体都不是“黑体”,其发射率εT不可能等于1,而且普通物体的发射率不仅和温度有关,且和波长有关,即εT=εT(λ·T),其值很难求得。虽然如此,辐射测温方法可避免与高温被测体接触,测温不破坏温度场,测温范围宽,精度高,反应速度快,即可测近距离小目标的温度,又可测远距离大面积目标的温度。辐射能与温度的关系通常用实验确定。 黑体的辐射规律之中,还有维恩位移定律,即辐射能量的最大值所对应的波长λm随温度的升高向短波方向移动,用公式表达为 利用以上各项特性构成的传感器,必须由透镜或反射镜将物体的辐射能会聚起来,再由热敏元件转换成电信号。常用的热敏元件有热电堆、热敏或光敏电阻、光电池或热释电元件。 透镜对辐射光谱有一定的选择性,例如光学玻璃只能透过0.3～2.7μm的波长,石英玻璃只能透过0.3～4.5μm的波长。热敏元件,尤其是光敏元件也对光谱有选择性。这样就使得接收到的能量不可能是物体的全部辐射能,而只是部分辐射能。真正的全辐射温度传感器是不存在的。 图为热辐射温度计的原理框图。由光学系统接收来的被测物体的辐射能,经光调制盘进行调制后进