半导体工艺原理--硅衬底制备工艺(贵州大学)讲课.pptVIP

硅衬底材料制备工艺 CZ(直拉）法生长单晶 硅片制备（切割－研磨－抛光） 晶体缺陷 抛光片主要技术指标 从沙子到晶圆（抛光片） 起始材料 SiC +SiO2 Si(固)+SiO(气)+CO(气) 　形成 冶金级硅MGS(98%) Si+3HCl SiHCl3(气)+H2 　 将SiHCl3(室温下为液体，沸点32℃）分馏提纯 SiHCl3＋H2 Si+3HCl （多晶硅沉积） 　产生电子级硅EGS(纯度十亿分之一），它是多晶硅材料 拉晶：CZ(直拉）法生长单晶 CZ法与FZ法比较 晶体缺陷 点缺陷 位错 刃型位错 螺旋位错 层错 层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长过程中。滑移就是一种层错，它沿着一个或更多的平面发生滑移。  另一种层错是孪生平面，就是在一个平面上，晶体沿着两个不同的方向生长。 滑移线 滑移线腐蚀坑 缺陷的两重性 缺陷往往是复合中心，是PN结漏电和低击穿的原因，特别是缺陷和重金属的交互作用会加深这种作用（降低寿命）所以不希望在有源区有缺陷。 在非有源区，缺陷能吸引杂质聚集，即有吸杂作用，是有好处的。 吸杂 (Gettering) 吸杂－晶体中的杂质和缺陷扩散并被俘获在吸杂中心 非本征吸杂： 在远离有源区（如背面）引入应变或损伤区 本征吸杂：利用硅片体内氧沉淀，点缺陷和残余杂质（如重金属）被俘获和限制在沉淀处，从而降低有源区的浓度。 抛光片主要技术指标 晶体参数 -晶向　　(111)/(100) 电学参数 -掺杂类型／掺杂剂 P/N -电阻率 机械参数 －直径／厚度 150mm/ 675?15um - 平整度/弯曲度／翘曲度 抛光片主要技术指标 结构参数 －含氧量含碳量 28 ? 3ppma －含碳量　 0.5ppma 　 位错密度 10/cm2 －层错密度 50/cm2 - 表面颗粒 0.3um 15pcs/wafer －重金属杂质 寿命 硅片制备的基本工艺步骤 1.Crystal Growth 2.Single Crystal Ingot 3.Crystal Trimming and Diameter Grind 4.Flat Grinding 5.Wafer Slicing 6.Edge Rounding 7.Lapping 8.Wafer Etching 9.Polishing 10.Wafer Inspection Slurry Polishing table Polishing head Polysilicon Seed crystal Heater Crucible ■整型处理：硅单晶锭在拉单晶炉中生长完成后，整型处理是接下来的第一步工艺。整型处理包括在切片之前对单晶硅锭做的所有准备步骤。 ■去掉两端：第一步是把硅单晶锭的两端去掉。当两端被去掉后，可用四探针来检查电阻以确定整个硅单晶锭达到合适的杂质均匀度。 ■径向研磨：径向研磨来产生精确的材料直径。由于在晶体生长中直径和圆度的控制不可能很精确，所以硅单晶锭都要长得稍大一点以进行径向研磨。对半导体制造中流水线的硅片自动传送来讲，精确的直径控制是非常关键的。 整型处理 ■硅片定位边或定位槽 半导体业界传统上在硅单晶锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导电类型。 硅片标识定位边 硅片定位边在200 mm及以上的硅片已被定位槽所取代。具有定位槽的硅片在硅片上的一小片区域有激光刻上的关于硅片的信息。对300 mm硅片来讲，激光刻印于硅片背面靠近边缘的没有利用到的区域。 对于300 mm硅片，没有利用到的区域是在固定质量区域面积之外，固定质量区域（FQA）是指硅片上容纳芯片的面积。现在没有利用的区域一般是3 mm。 切片 一旦整型处理完成后，硅锭就准备进行切片。对200 mm以下硅片来讲，切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的。使用内圆切割机是因为边缘切割时能更稳定，使之产生平整的切面。 内圆切割机 对300mm的硅片来讲，由于大直径的原因，内圆切割机不再符合要求。300mm的硅锭目前都是用线锯来切片的。线锯在切片过程中减少了对硅片表面的机械损伤。硅片的厚度在切片过程中得到了精确的控制。300mm硅片目前的厚度是775±25微米。更厚的硅片能够承受