第三章高频功率放大器研讨.pptVIP

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  • 2017-05-07 发布于湖北
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第三章高频功率放大器研讨

* 工作频率和使用场合不同,电路组成形式也不同。 * 工作频率和使用场合不同,电路组成形式也不同。 * 工作频率和使用场合不同,电路组成形式也不同。 * 工作频率和使用场合不同,电路组成形式也不同。 * LB、CB 阻止交流流经RB,使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB,使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB,使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB,使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB,使RB上获得稳定的直流电压。 * * * * * * 二、基极偏置电路 欲使晶体管工作于丙类,基极应加反向偏压或小于UBE(on)的正向偏压。 + – VBB IB0 RB CB LB IB0 LB + – +VCC RB1 CB LB RB2 VBB 自给偏置电路 分压式基极偏置电路 利用IB0 流经RB产生偏压电压:VBB= -IB0 RB 调节RB ,可调节反偏电压大小。 利用LB中的固有直流电阻获得偏置电压 在实际电路中,VBB不是用电池获得,因此通常用上述图的方法产生VBB。 A图,从耦合电容耦合到基级的输入是纯交流,当其振幅超过导通电压后,晶体管导通,产生余宣脉冲,其中包含直流分量从发射级经偏置电阻Rb流向基级,在Rb上产生所需要的负偏压。 B图,利用基级

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