1-1半导体物理基础绪论.ppt

其中，r是电子空穴的复合几率，与n和p无关。 热平衡时：G0=R0=rn0p0=rni2 复合率减去产生率，则为非平衡载流子(过剩载流子)的净复合率。 Ud=R-G =r（np-n0p0）≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ）2 即 Ud≈r（ n0+ p 0 ）+r（⊿p ）2 间接复合：通过杂质或缺陷能级Et而进行的复合。 俘获与发射： 俘获电子 发射电子 俘获空穴 发射空穴 电子俘获率： 电子产生率： 空穴俘获率： 空穴发射率： Rn=rnn（Nt-nt） Gn=s-nt Rp=rppnt Gp=s+（ Nt-nt ） rn：电子俘获系数 s- ：电子激发几率 rp：空穴俘获系数 s+ ：空穴激发几率 非平衡载流子的净复合率U U=Rn-Gn=Rp-Gp 可见： （1）在热平衡时，np=n0p0 U=0 （2）在非平衡时，npn0p0 U0 半导体的主要散射机构 电离杂质散射 晶格振动的散射 晶格振动散射几率 电离杂质散射： 声学波散射： 光学波散射： 平均自由时间与散射几率 多种散射机构同时存在时的迁移率 对于掺杂的硅、锗等原子半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射： 注：对于补偿半导体：载流子浓度决定于施主和受主浓度之差，但是迁移率决定于两种杂质浓度之和！ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度关系(300K) AB段：载流子主要来自杂质电离，它随温度升高而增加，散射以电离杂质为主，迁移率随温度升高而增大； BC段：杂志全部电离，载流子浓度基本不变，晶格振动散射开始起主导作用，迁移率随温度升高而下降，电阻率增大 C段：本征激发为主，随温度升高，载流子数量快速增加，其影响远远超过迁移率变化，电阻下降 扩散定律 稳态扩散方程 探针注入 总电流 爱因斯坦关系 稳态情况下连续性方程的解 探针与半导体表面形成半球形接触面，采用球坐标： (5-102) 可解得： 边界处径向扩散流密度： （自学内容） 对于空穴和电子分别有： 半导体中总电流为： 光照 2 总电流——爱因斯坦关系 迁移率和扩散系数之间的定量关系由爱因斯坦从理论上证明，称为爱因斯坦关系 考虑一块非均匀n型半导体，施主杂质随x增加而下降 电子空穴扩散电流分别为： 载流子扩散使得其趋于均匀分布，然而电离杂质不能移动，半导体内部不能再保持电中性，必然出现电场，该电场又产生漂移电流。 E 内建电场引起的漂移电流： 由于达到平衡后体内不因该存在宏观电流，进一步分析可发现电子空穴总电流应分别为零： 所以： 由于存在电场，半导体内各处电势不等，且满足： 所以各处电子能量也不相等，必须考虑附加势能 所以： 求导得： 即得： 同理： （重要内容） 利用爱因斯坦关系得出总电流 （自学内容） 考虑如下问题：在x=0截面用光脉冲注入一定非平衡载流子，并在半导体两端加电场，试问半导体内载流子的浓度将如何变化？ 需考虑的因素：1、光注入下非平衡载流子的产生；2、载流子的复合；3、载流子的扩散运动；4、载流子在电场下的漂移运动。 E （自学内容） 1.4.5 连续性方程 考虑单位时间内某体积元内空穴数量变化： 首先它因该与空穴的复合率R有关； 其次它应该与空穴的产生率G有关； 它还应该与空穴流引起的该体积元内空穴数的变化有关； 即： 由此可得单位时间单位体积内空穴变化率： 一维情况下： （自学内容） 非平衡状态下： (5-129*)中的Sh应该包括扩散流和漂移流两部分 所以： （自学内容） 将上述结果代入(5-129*)得： 上式即为一维情况下非平衡载流子遵守的连续性方程 第一项：扩散项 第二、三项：漂移项 第四项：复合项 第五项：产生项 同理对于电子有： （自学内容） 表面光照一定，体内无激发，材料均匀，电场均匀的稳态情况 可以解得： （自学内容） （自学内容） 1.5 半导体表面和表面能级 从晶体结构看，由于晶格在表面终止，表面上的每个硅原子都有一个称做悬挂键的未饱和键，对应的电子状态就是表面态； 终止 悬挂键 达姆表面能级：电子被局限在表面附近，晶体的周期性势场在表面中断，引起的附加能级 ； 导带 价带 电子表面态 Es 平均 晶体 体内 1.5 .1半导体表面和表面能级 Si-SiO2系统中4 种基本形式的电荷或能态 1.5 .2 Si-SiO2系统中的表面态和表面