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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 6.4.3 溅射方法 (1)直流溅射 (2)射频溅射 (3)磁控溅射 (4)反应溅射 (5)偏压溅射 (6)离子束溅射等 可根据应用要求,将上述各种方法结合起来,比如 在直流溅射中,结合进各种施加偏压的方法,发展为偏压溅射 将射频技术与反应溅射相结合,构成射频反应溅射法 (1)直流溅射 又称为阴极溅射或直流二极溅射 内充Ar气——工作气体 腔内压力~0.1 torr(气压对溅射影响) 淀积速率与溅射气压的关系——有极大值 淀积速率与溅射功率成正比,与靶材与衬底之间的距离成反比 薄膜质量与溅射气压的关系——气压较低,薄膜致密度较高;气压较高,薄膜致密度较低 阴极、阳极间距10 cm(收集尽可能多的出射原子) 特点:溅射速率大,可溅射多种金属,不能用于溅射绝缘材料 绝缘体带来的问题:靶材上压降高,导致系统工作电压高,靶温太高;靶材(阴极)表面产生正电荷积累,浮置电压使辉光放电熄灭 (2)射频溅射 适于各种金属和非金属材料的一种溅射淀积方法 高频电场可经由其它阻抗形式耦合进淀积室,不必要求电极一定是导体 对于绝缘体靶材,正半周积累的电荷与负半周电子轰击中和 过低的频率会使正半周积累电荷过多,大部分时间没有溅射效率 频率~13.56 MHz——不受其它信号干扰的频率之一 自偏压效压:在射频电场中,电极会自动处于一个负电位下,导致气体离子对其产生自发地轰击和溅射 原因:电子相对离子运动(迁移/扩散)快 耦合电容,隔离电源 淀积系统结构特点 鞘层电压降与电极面积的关系:(V1/V2)=(A2/A1)4 加大非溅射电极与溅射电极的面积比,从而相对减弱非溅射电极的自偏压效应 优点: ① 消除了电荷积累,使离子碰撞更加有效,可在低气压(0.133 Pa)下工作 ② 避免弧光效应 ③ 可溅射绝缘材料 (3)磁控溅射 电控(直流或射频)溅射的缺点: ① 淀积速率低 ② 溅射时工作气压高,对成膜污染提高 磁场的存在将延长电子在等离子体中的运动轨迹,提高与气体原子碰撞的几率,从而提高气体原子的电离几率 靶上的电流密度相对于直流配置的1 mA/cm2提高到10~100 mA/cm2 特点: 淀积速率高——比其它溅射方法高出一个数量级 工作气压低,可由1 Pa降低至10-1 Pa 提高成膜质量(衬底二次电子轰击减少,改善膜均匀性) ,减少成膜污染 原因:磁场中电离效率提高;低气压下溅射原子被散射机率减少 磁控溅射是应用最广泛的一种溅射淀积方法 (4)反应溅射 化合物靶材在溅射过程中会发生分解,可通过调整溅射室内的气体组分和压力,来限制这种分解 定义:在淀积的同时形成化合物的溅射技术 靶材:纯金属 工作气体中含活性气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S 在溅射淀积的同时生成特定化合物,一步完成从溅射、反应到多组分薄膜淀积的多个步骤 淀积产物是合金固溶体、化合物甚至这两相的混合物。提高活性气体分压有利于化合物形成 随着活性气体压力和溅射功率的增加,靶材表面也可能形成一层相应的化合物,这可能会降低靶材的溅射和淀积速率 可淀积化合物: 氧化物,如Al2O3、SiO2、In2O3、SnO2 碳化物,如SiC、WC、TiC 氮化物,如TiN、AlN 、Si3N4 硫化物,如CdS、ZnS、CuS 各种复合化合物 (5)偏压溅射 在一般的溅射设施基础上,在衬底与靶材之间施加一定大小的偏置电压,以改变入射到衬底表面的带电粒子的数量和能量 偏压溅射是改善溅射淀积薄膜组织及性能的最常用、最有效的手段之一 改变所淀积金属薄膜的电阻率 改变所淀积薄膜的密度、硬度、介电常数、折射率、附着力等一系列性能 在所淀积薄膜中诱发各类缺陷 §6.5 PVD工艺的台阶覆盖 * * * * * * * * * * * * 对加热体材料的要求: 熔点高。必须高于蒸发材料的蒸发温度(一般为1000 ℃~2000 ℃) 饱和蒸气压低。以保证蒸发过程中具有最小的自蒸发量,从而不影响真空度、不对淀积薄膜造成污染 化学性质稳定。高温下不与蒸发材料发生化学反应 蒸发材料对加热体材料的“浸润性” 浸润性:面蒸发、蒸发稳定 不浸润:点蒸发,亲和差,容易脱落,如Ag在W上 6.2.2 电子束蒸发源 电阻加热不能满足难熔金属和氧化物材料的蒸发,特别是不能满足实现高纯度的膜 电子束加热是以动能电子轰击处于阳极的蒸法材料,使蒸发材料加热汽化 电子束蒸
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