工艺整理绪论.ppt

5.显影 非聚合光刻胶的去除 6.硬烘焙 对溶剂的继续蒸发 7.显影目检 检查表面的对准情况和缺陷 8.刻蚀 将晶圆顶层透过光刻胶的开口去除 9.光刻胶去除 将晶圆上的光刻胶层去除 10.最终目检 表面的检查以发现刻蚀的 不规则和其他问题 8.4 光刻胶 8.4.1光刻胶的组成 四种基本的成分：聚合物、溶剂、感光剂和添加剂。 两种光刻胶的显影属性不同，负胶所用的显影液非常容易得到，聚合和非聚合区域的可溶性有很大不同。图形尺寸相对保持恒定。 正胶来说，聚合和非聚合区域的可溶性区别较小，显影液需要仔细调制，并且在显影过程中需要进行温度的控制，加入溶解阻止系统，控制显影过程中的图形尺寸。 光刻胶的去除，正胶比负胶容易，可以用受环境影响小的化学品去除。 生产先进的工艺会选择正胶，对于图形尺寸大于2微米的工艺还在用负胶。 焦深为焦点深度的简称，即在使用显微镜时，当焦点对准某一物体时，不仅位于该点平面上的各点都可以看清楚，而且在此平面的上下一定厚度内，也能看得清楚，这个清楚部分的厚度就是焦深。焦深大, 可以看到被检物体的全层，而焦深小，则只能看到被检物体的一薄层。 NA是镜头的孔径数值 掺杂 影响工艺的因素 一、特定杂质的扩散率。扩散率越高，杂质在晶圆中的穿越越快。扩散率随温度的上升而变大。 二、杂质在晶圆中的最大固溶度。随温度的升高而升高。 （2）方块电阻 我们如道，对于一个均匀导体来说， 电阻R除了与电阻率 成正比外，还正比于导体的长度L，反比于导体截面积S，即有 如果均匀导体的宽为d，厚为W，则 S＝d*W，那么电阻R的表达式可改写为 对于扩散层来说，在扩散方向上杂质分布是不均匀的，整个 扩散层电阻率不可能用一个常数表示．如果假设扩散层内的平 均电阻率为 ；(平均电导率为 )，那么扩散层的电阻表达式 R 其中 如果L=d，则 R=R 两个重要的注入参数 1.剂量（Q） 离子注入提供了一种非常精确的，向硅中掺入特定杂质原子剂量或数量的方法。 退火是指在氮气保护下，使硅片在一定 温度下保持一段时间，使微观损伤区的晶体 复原，一般把这种热处理称为退火。 退火还有一个重要的作用，能使注入硅中的 杂质离子进入替代硅原子的位置而成为电活 性杂质离子，从而起受主或施主作用。退火 在600℃~1000 ℃之间进行。 (2) 快速退火 采用脉冲激光、脉冲电子束与离子束、扫描 电子束、连续波激光、宽带非相干光源（如 卤灯和高频加热）等退火，特点是瞬时内使 晶片的某个区域加热到极高的温度，并在较 短的时间（10 -3~10 -2S）内完成退火。 退火产生的四个结果 注入引起的损伤得到修复 杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使杂质原子成为晶格结构中的一部分 高温使得杂质向硅中扩散 硅片表面生长了一层新的氧化层 已知注入离子的能量和剂量， 估算注入离子在靶中的 浓度和结深 问题：140 keV的B+离子注入到直径为150 mm的硅靶中。 注入 剂量Q=5×10 14/cm2（衬底浓度2×1016 /cm3） 1) 试估算注入离子的投影射程，投影射程标准偏差、 峰 值浓度、结深 2) 如注入时间为1分钟，估算所需束流。 【解】1) 从查图或查表 得 Rp=4289 ?=0.43 mm ?Rp=855 ?=0.086 mm 峰值浓度 Nmax=0.4Q/?Rp=0.4×5×1014/(0.086×10-4)=2.34×1019 cm-3 衬底浓度NB＝2×1016 cm-3 ?xj=0.734 mm 2) 注入的总离子数 Q＝掺杂剂量×硅片面积 ＝5×1014×[?(15/2)2]=8.8×1016 离子数 I＝qQ/t ＝[(1.6×10－19C)(8.8×1016)]/60 sec=0.23 mA 淀积 淀积薄膜的主要方法有 热氧化（常压热氧化、低压热氧化、高压热氧化等） 物理淀