电子与电路第10章说课.pptVIP

10.5 特殊三极管 1 光敏三极管 :由光敏二极管与三极管结合而构成. 它的电流是受外部光照控制，是一种半导体光电器件，其灵敏度比光电二极管提高了β倍，但响应时间也相应增加。 IC + - UCE E C (a) 等效电路 E C 0 光照增强 UCE IC 图8.5-1 光敏三极管 (c) 特性曲线 (b) 符号 2 光电耦合器 输出 输入 图 光电耦合器 光电耦合器又称光电隔离器，它是由发光源和受光器两部分组成。 发光源常用砷化镓红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。受光器引出的管脚为输出端。 光电耦合器利用电—光—电两次转换的原理通过光进行了输入端与输出端之间的耦合。 * * * * 10 晶体三极管 10.1 基本结构 10.2 电流分配和电流放大原理 10.3 特性曲线 上页 下页 返回 10.4 主要参数 10－1 放大 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 10－2 三极管 BJT 结构 发射极用e 表示(Emitter) 集电极用c 表示(Collector) 基极用b表示(Base) 发射区 集电区 基区 半导体三极管为三层半导体形成两个PN结组成。它有两种类型:NPN型和PNP型。结构如图所示，有三层半导体、两个结、三个电极。 集电结(Jc) 发射结(Je) 三极管符号(箭头为发射结正偏时，射极电流流向） NPN型 PNP型 C P N N N P P E E B B 发射区 集电区 基区 基区 基极 发射极 集电结 发射结 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 集电极 C 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP 上页 下页 返回 分类 (3) 按功率： 小、大、中功率管 (1) 按材料 Si管 Ge管 (2) 按结构 NPN管 PNP管 (4) 按工作频率 ： 低频管、高频管 结构特点 ? 发射区e掺杂浓度最高； ? 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区b很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 这些特点使BJT不同于两个单独的PN结，而呈现出极间电流放大作用。 外部条件： NPN 管: PNP 管: 放大状态下BJT中载流子的传输过程 e结正偏，c结反偏 10.2 电流分配和电流放大原理 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE RC B C E 共发射极放大电路 上页 下页 PNP 管： UBE0 UBC0 即VCVBVE C E B 返回 三极管的电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 上页 下页 返回 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 例10-4 当发射极电流为58mA，集电极电流为56mA，计算晶体管的基极电流为多少？ 解：列方程：IB = IE -IC =58mA-56mA=2mA 电流增益? 例10－5 求基极电流为0.3mA，集电极电流为60mA的晶体管的β值。 解： 例10－6 一个晶体管的发射极电流为12.1mA，集电极电流为12.0mA，晶体管的β为多少？ 解：首先，将电流方程变形以求基极电流： IB=IE-IC=12.1mA-12.0mA=0.1mA 然后求出β： 实际晶体管的β值变化很大，某种功率晶体管的β值可以小到10，小信号晶体管的β值可以大到400一般的估计是小信号晶体管β取150，功率晶体管β值50。 10.3 特性曲线 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UBE /V IB/ μA O O 2.晶体管输出特性曲线 IC = f (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE I