表面1305剖析.ppt

第2页，共 19页 例： TCVD技术制备单晶设计原理 1.选择化学反应 ZnSe + I2 ZnI2+ 1/2 Se2 2.利用材料学原理对CVD技术设计提出条件 形核:必须合适过冷. 形成临界晶核; ΔT约等于 0.2熔点易形核. 长大:有过冷度就会长大, 长大速度 与界面有关. 第2页，共 19页 单晶形成条件:结晶时仅1个晶核长大 如何控制化学反应？似乎很难？ 例： TCVD技术制备单晶设计原理 单晶制备设计思想： 1）控制合适的过冷度形成晶核 2）只在某位置形成1个晶核，过冷条件下长大形成单晶 3）控制硒化锌的化学反应，通过气相沉积满足条件。 第2页，共 19页 设计思想: 3.利用物理化学计算反应温度： 利用反应式，计算出反应平衡温度 ΔG=0 确定平衡温度Tc= 840℃ 判断出 反应是吸热反应。温度 TTc反应向右进行、TTc反应向左进行 4.设备设计：仅在设备特殊部位有合适过冷度形核,其他部位过冷度小无法形核。该晶核长大成单晶 巧妙设计：长石英管，两段加热分成源区与沉淀区；分别进行加热；精确控制不同区域的温度；端头制备“细石英棒”控温 第2页，共 19页 ZnSe多晶颗粒;碘混合放入石英管源区中抽真空. 具体实现: 源区:TTC=840℃,ΔG0反应正向进行, Se2、ZnI2气体飞向石英管上端沉淀区 沉淀区:TTC, ΔG0反应逆向进行. 控石英棒温度仅在石英棒尖端满足形核条件,仅形成一个晶核。在气体不断运输下晶核长大成单晶. 第2页，共 19页 主要技术要求：5微米左右透明、高防腐蚀的沉积层 案例2：高分子气源的气相沉积技术 项目背景：争夺海洋控制权本世纪重大战略意义。 雷达系统重要设施。在海洋区域电路板非常容易腐蚀。必须防腐蚀。 要求： 1）防腐蚀层必须透明 2）不能太薄防腐蚀效果差；不能太厚阻 止信号的分辨率 常规技术无法实现；美国Parylence技术；国产化 第2页，共 19页 案例2：高分子气源的气相沉积技术 设计思想： Parylence材料是一种高分子材料，用高分子材料挥 发代替化学反应实现沉积 高分子材料特性 1：加热就升华.固体变为气体 2：可以发生裂解、不同温度裂解产物不同；控制温 度就可以实现控制成分。 3.某一成分的高分子薄膜有良好的抗腐蚀性能 第2页，共 19页 Parylence设备的设计 固体高分子加热材料升华，气体进入裂解室，控制温度得到需要裂解的成分，进入沉积室。 沉积室处于常温，工件转动气相高分子材料吸附在工件上称为薄膜；废气排出 第2页，共 19页 高科技产品设计思想总结： 规律：高科技产品均是利用多学科基础“设计”出来的 TCVD是最早开发的沉积技术；优点: 1.可利用化学反应式与物理化学等理论进行工艺设计 2.设备相对简单，操作容易 TCVD技术问题: 1.沉积温度高,对很多工件不适用（光盘薄膜）可否 解决？如何解决？ 2.有污染 可否解决？如何解决？ 第2页，共 19页 等离子体:--含有足够多的，电荷数目相等的，正负带电粒子的物质集聚状态.(离化率1-4%) ） 电离剂（紫外线） 电离：电子获得足够能量脱离轨道成为自由电子，原子变成正离子 4.3气体放电-等离子体简介 解决TCVD沉积温度高的途径之一气体放电产生等离子体，利用等离子体特性降低反应温度 借助真空、高压电场，利用气体放电产生等离子体 .抽真空罐体低气压 第2页，共 19页 阴极1 阳极2 Ja=j0×{eαd/[1-γ(eαd-1)]} 气体受宇宙射线作用，总有少数原子电离,存在微量电子. 电场作用电子加速, 碰撞其他 气体原子又发生电离. 产生电流 气体放电装置与机理 第2页，共 19页 气体放电伏安特性曲线分析: 阴极1 阳极2 讨论： 1.J0=0,一般情况下 Ja=0 去掉外电源放电停止 2.可否 j0=0, ja不等于零? j0—单位时间、单位阴极面积逸 出二次电子电流密度 二次电子---离子轰击阴极产生 的电子 γ- 1个气体中离子轰击阴极 产生的二次电子数平均数 CDE段：电压不增电流大幅度增加 为什么？