第4章练习题技术方案.ppt

上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1、晶体管能够放大的内部条件是( )。 A、两个背靠背的PN结 B、空穴和电子都参与了导电 C、有三个掺杂浓度不一样的区域 D、发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大 D 练习题 2、晶体管能够放大的外部条件是( )。 A、发射结正偏，集电结正偏　 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正 D、发射结反偏，集电结反偏 B 3、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA和3.6mA，则该管的β为( )。 A、60 B、61　 C、100 D、50 A 4、在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是( )。 A、集电极电位一定最高 B 、集电极电位一定最低 C 、发射极电位一定最高 D 、基极电位一定最低 A 5、只用万用表判别晶体管的三个电极，最先判别出的应是 ( )。 A、基极 B 、发射极 C 、集电极 D 、发射极或集电极 A 6、当晶体管的集电极电流Ic＞Icm时，下列说法正确的是 ( )。 A、晶体管一定被烧毁 B 、晶体管的Pc＝PcM C 、晶体管的β一定减小 D 、晶体管的β一定增大 C 7、某放大电路中，晶体管各电极对地的电位如下图所示．由此可判断该晶体管为( )。 A、 NPN型硅管 B 、 NPN型锗管 C 、 PNP型硅管 D 、 PNP型锗管 D 8、 某晶体管各电极相对于“地”的电压如图所示，由此可判断该晶体管( )。 A、处于放大状态 B 、处于饱和状态 C 、处于截止状态 D 、已损坏 D 9、共发射极接法的晶体管工作在放大状态下．对直流而言其( )。 A、输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性 B 、输入和输出均具有近似的恒流特性 C 、输入和输出均只有近似的恒压特性 D 、输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性 A 10、晶体管的参数受温度影响较大．当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为( )。 A、 β增加、ICBO和UBE减小 B 、 β和ICBO增加， UBE减小 C 、 β和UBE减小， ICBO增加 D 、 β 、 UBE和ICBO都增加 B 11、利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的 ( )。 A、输出功率 B 、交流参数 C 、静态工作点 D 、交流和直流参数 B 上页 下页 返回 模拟电子技术基础