基于开关霍尔健身器测距系统设计-开题报告.docVIP

基于开关霍尔健身器测距系统设计-开题报告.doc

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PAGE  中 北 大 学 毕业论文开题报告 学 生 姓 名:学 号:学 院、系:信息与通信工程学院专 业:电气工程及其自动化论 文 题 目:基于开关霍尔健身器测距系统设计指导教师: 2013 年 3 月 6 日 毕 业 论 文 开 题 报 告 文 献 综 述 1.选课目的和意义: 目的:霍尔传感器具有良好的可靠性,灵敏度和温度稳定性,因而在汽车、工业控制和安全系统的位置、速度、电流等检测中得到广泛应用。本文将对(基于开关)霍尔传感器在测距领域的智能化测量应用进行研究,并设计出基于开关霍尔测距硬件电路系统。该测量技术将被设计成健身器材。 意义:在本次设计中,涉及到传感器技术,电子测量技术,c语言程序编写技术,以及数字信号处理等的多种学科知识的综合运用。通过本设计,能提高本专业各个学科综合知识的实际运用能力,提高实际动手能力,提高自身的科学性、系统性、及全面性的综合设计素质。 2.霍尔传感器的介绍: 霍尔 HYPERLINK /view/16431.htm \t _blank 传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导 HYPERLINK /view/10897.htm \t _blank 电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种 HYPERLINK /view/282539.htm \t _blank 霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、 HYPERLINK /view/1632787.htm \t _blank 检测技术及信息处理等方面。 霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的 HYPERLINK /view/1505706.htm \t _blank 霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及 HYPERLINK /view/1293299.htm \t _blank 载流子迁移率等重要参数。霍尔器件是一种采用半导体 HYPERLINK /wiki/%E6%9D%90%E6%96%99 \o 材料 材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控制电流IC,当有一磁场B穿过该器件感磁面,则在输出端出现霍尔 HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E5%8A%BF \o 电势 电势VH。在磁场力作用下,在 HYPERLINK /wiki/%E9%87%91%E5%B1%9E \o 金属 \t _blank 金属或通电 HYPERLINK /wiki/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93 \o 半导体 \t _blank 半导体中将产生霍耳效应,其输出电压与磁场强度成正比。基于霍耳效应的霍耳传感器常用于测量磁场强度,其测量范围从10Oe到几千奥斯特。尽管人们早在1879年就知道了霍耳效应,但直到20 HYPERLINK /wiki/%E4%B8%96%E7%BA%AA \o 世纪 世纪60年代末期,随着固态 HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E5%AD%90 \o 电子 电子技术的发展,霍耳效应才开始被人们所应用。 如果把通有电流i的导体放在垂直于它的 HYPERLINK /wiki/%E7%A3%81%E5%9C%BA \o 磁场 \t _blank 磁场中,则在导体的两侧p1、p2会产生一电势差uh,它与 HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E6%B5%81 \o 电流 \t _blank 电流i及磁感应强度b成正比,与导体 HYPERLINK /wiki/%E5%8E%9A%E5%BA%A6 \o 厚度 厚度d成反比,即:uh=k(ib/d),式中k为霍尔系数。霍尔系数越大,表明霍尔效应越显著。人们常利用某些半导体 HYPERLINK /wiki/%E6%9D%90%E6%96%99 \o 材料 材料(如锗、 HYPERLINK javascript:linkredwin(锑化铟); \o 锑化铟 \t 锑化铟)显著的霍尔效应来制成直流和低频磁场/ HYPERLINK javascript:linkredwin(电压变换器); \o 电压变换器 \t 电压变换器。 3.开关型霍尔传感器 1总体介绍 开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器, HYPERLINK /view/1552892.htm \t _blank 斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。霍尔传感器也可分为开

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