软磁基础讲座4精编.doc

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软磁材料基础讲座(连载四) 前面的讲座强调过,为了得到软磁性,材料的磁晶各向异性常数Kc和磁致伸缩系数λs必须为零。满足这个条件的多晶材料只有坡莫合金、Sendust、MnZn铁氧体等极少数材料。与此相反,1970年左右开发的非晶薄带,其原子排列是随机的(无序的),不存在原子定向排列产生的磁晶各向异性Kc;也不存在产生局部变形和成分偏移的晶粒边界。因此,妨碍畴壁移动和磁矩转动的能量壁垒非常少,具有前所未有的软磁性。非晶薄带可用单辊熔融金属快谇法制作;而用可实现更高速的快淬工艺的气相淬火,即蒸镀和溅射也可制得薄膜,能在很宽的成分范围内得到非晶相,成为具有高饱和磁化强度和软磁性的非晶薄膜。进而发现即使不是非晶相,如果是微晶状态也能成为软磁材料,可得到饱和磁化强度更高的纳米晶薄带。另外,微晶制造工艺采用溅射法,可制成氧化物、氮化物、氟化物???电绝缘物与铁磁性微晶的复合结构(颗粒型结构),同时具有软磁性和高电阻率,这种复合磁性材料正作为高频薄膜软磁材料进行研究。 本次讲座介绍非晶和纳米晶软磁性材料的制作方法,得到软磁性的原因、纳米结构的磁各向异性及因此得到的优良高频特性。进而说明人工格多层薄膜和图形化薄膜。这些薄膜可以改进高频特性和微型磁性元件的性能。 2 非晶软磁材料 1970年代开始研究室温下呈铁磁性的非晶合金的基本磁性,用单辊快淬法可获得软磁性优良的非晶薄带,作为软磁材料迅速普及。图1表示制作非晶薄带的单辊快淬法和制作非晶丝的水中纺丝法,统称快淬法。在Fe、Co、Ni等铁磁性元素中添加约20 at%的ⅢB~VB元素(B、Si、P等)或者约10 at%的ⅢA~VA元素(Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta等),将其熔融后,用约105K/s的速度急剧冷却,制成的薄带,室温下呈现稳定的非晶结构,无晶核生成。薄带厚度可达4~100μm,一般商品的薄带通常为厚数十μm、宽数cm。用水中纺丝法可得到φ数μm~数十μm的非晶丝。 图2是非晶结构的模式图,仅示出磁性原子的配置。磁性原子间距接近晶相时的距离(r1,r2),尤其是最近邻原子分布很分明;第二、第三近邻原子的位置则稍松散。这种原子分布没有方向性,完全是无序的,但填充度非常高,近于fcc的原子配置。因此,如果是晶体结构为bcc的Fe形成非晶相,就会呈现不同于原来的性质,尤其是磁致伸缩系数大不相同。图3表示(Fe,Co,Ni)78Si2B14非晶薄带饱和磁致伸缩系数λs与Fe、Co、Ni含量的关系。在Fe/Co=5/95的附近λs=0,与多晶的Fe-Co合金相似;但当Fe为主成分时其λs的增大与多晶有很大的不同。 有效利用气相快淬效果的溅射法,可以在很宽的成分范围内获得非晶相。图4表示在Co-(ⅢA~VA)合金中的典型成分Co-Zr-Nb的溅射膜饱和磁化强度Ms和饱和磁致伸缩系数λs与成分的关系。 以上非晶成分中,从非晶相稳定性、饱和磁化强度、制作容易程度等方面考虑,常用的有:高饱和磁化强度薄带Fe-(Si,B,C)、高磁导率薄带(Fe1-xCox)-Si-B、图4中的Co-(ⅢA~VA)薄膜。Fe-(Si,B,C)薄带的饱和磁化强度高,而且磁滞损耗非常低,预期可代替硅钢片用作电力变压器磁芯。但是现在硅钢片发展也相当快,因此Fe-(Si,B,C)在电力变压器仅有部分应用。作为电力变压器磁芯,其发热损失非常小,运转效率、小型化、耐久性等优点颇引人注目。(Fe1-xCox)-Si-B合金在X≈0.95时λs=0;Hc也可下降低到~0.1A/m。作为高磁导率材料,用于饱和电感器、磁场传感器等。Co-(ⅢA~VA)系溅射薄膜的软磁性比坡莫合金、Sendust合金等多晶薄膜好;而且由图4可知,λs随Zr/Nb的比例逐渐由负变到正,容易制得λs=0的软磁薄膜;还有,即使增大Ms也不失去软磁性的优点。但是,其非晶相不稳定,耐热性成问题。 2.2 非晶材料的磁各向异性 关于非晶材料的磁各向异性(由它决定磁导率、磁共振频率、高频损耗等频率特性),可出现坡莫合金中所见的类似无序合金的感生磁各向异性。图5是测得的(Co-Fe)0.9Zr0.1和(Co-Ni)0.9Zr0.1的感生磁各向异性常数Kiu。与坡莫合金的Kiu=102J/m3(=0.02J/kg)相比,图5中非晶合金的感生磁各向异性非常强,这是Co-Fe(Ni)的磁偶极子相互作用很强所致。另外,由于非晶相是准稳定相,在热处理中会产生非晶相本身的结构弛豫:向势能更低的随机的原子配置弛豫;或者在更高温度下形成微晶。因此,感生磁各向异性的热行为受非晶相生成后的热处理过程的影响。尤其是在薄膜中,感生磁各向异性的强度随制作设备、溅射条件等而异,最佳热处理条件也略有不同。 非晶相的磁各向异性是比α-Fe等的磁晶各向异性低几个数量级

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