固体物理—简答题探析.docVIP

1 试述位错反应及其能否进行的条件。 答： 由几个位错合成为一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。 位错反应能否进行，取决于两个条件：⑴ 几何条件，即反应前各位错的柏氏矢量之和应等于反应后的柏氏矢量之和。⑵ 能量条件，即反应后各位错的总能量应小于反应前的总能量。由于位错的能量正比于柏氏矢量的平方，故此条件可写为 2 解释在固熔强化效果上间隙机制优于置换机制的原因。 答：间隙式熔质原子的强化效果一般要比置换式熔质原子更显著。这是因为间隙式熔质原子往往择优分布在位错线上，形成间隙原子“气团”，将位错牢牢钉扎住，从而造成强化。相反，置换式熔质原子往往均匀分布，虽然由于熔质和熔剂原子尺寸不同，造成点阵畸变，从而增加位错运动的阻力，但这种阻力比间隙原子气团的钉扎力小得多，因而强化作用也小得多。 3 简述纯金属晶体长大的机制及其与固－液界面结构的关系。 答：晶体长大机制是指晶体微观长大方式，它与液－固界面结构有关。 具有粗糙界面得物质，因界面上约有50％的原子位置空着，这些空位都可接受原子，故液体原子可以单个进入空位与晶体相连接，界面沿其法线方向垂直推移，呈连续式长大。 具有光滑界面的晶体长大，不是单个原子的附着，而是以均匀形核的方式，在晶体学小平面上形成一个原子层厚的二维晶核与原界面形成台阶，单个原子可以在台阶上填充，使二维晶核侧向长大，当该层填满后，则在新的界面上形成新的二维晶核，继续填满，如此反复进行。若晶体的光滑界面存在有螺型位错的露头，则该界面称为螺旋面，并形成永不消失的台阶，原子附着到台阶上使晶体长大。 4 脱熔分解与调幅分解在形成析出相时最主要的区别是什么？ 答：两者在形成析出相时最主要的区别在于形核驱动力和新相的成分变化。脱熔分解时，形成新相要有较大的浓度起伏，新相与母相的成分相比较有突变，因而产生界面能，这也就需要较大的形核驱动力以克服界面能，亦即需要较大的过冷度。而对调幅（Spinodal）分解，没有形核过程，没有成分的突变，任意小的浓度起伏都能形成新相而长大。 5.何谓同素异构现象？试以铁为例加以阐述，并分析a-Fe ?? g-Fe的体积变化情况。 答：材料在不同的条件下（非成分）改变其结构（空间点阵或分子结构）的现象。a-Fe ?? g-Fe相变后其致密度增大，即体积缩小。 6.为何亚共析钢的正常淬火加热温度应在Ac3以上适当的温度，而过共析钢的正常淬火加热温度应在Ac1和Accm之间一定的温度？ 答：亚共析钢的正常淬火加热温度在Ac3以上适当的温度便可实现完全A化。过共析钢的正常淬火加热温度在Ac1和Accm之间一定的温度便可实现A化又使二次渗碳体有适量的溶解 配位数：它是表示晶体中原子排列紧密程度的方法之一，计算每个原子周围最近邻且等距离的原子数目。 固熔体：固态下一种组元（熔质）熔解在另一种组元（熔剂）中而形成的新相，其特点是具有熔剂组元的点阵类型。 动态过冷度：晶核生长时液－固界面要继续向液体中移动，就必须在液－固界面前沿液体中有一定的过冷，这种过冷度称为动态过冷度。伪共晶：在不平衡凝固时，成分在共晶点附近的合金也可能获得全部共晶组织，这种由非共晶成分的合金所得到的共晶组织称为伪共晶。 自扩散：纯物质晶体中的扩散称为自扩散。由于不存在浓度梯度，自扩散产生于晶体中原子的无规则随机运动。 滑移变形：晶体的一部分相对于另一部分的滑动所形成的变形；其机理是位错移动。 固溶强化：溶质原子对固溶体造成的晶格畸变致使固溶体强度升高的现象。 组织细化强化：由相变、塑变等工艺措施致使材料组织细化（晶粒、亚晶粒、畴等）造成材料强度升高的现象。 单晶体：是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。 线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。主要为位错dislocations。 多晶体：是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶 体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成 点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位vacancies、间隙原子interstitial atoms、杂质impurities、溶质原子solutes等。  面缺陷（Planar defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孪晶界twin boundaries、堆垛层错stacking faults等。 晶体中点阵结点上