课程名称半导体工艺原理与技术.docVIP

课程名称：半导体工艺原理与技术 课程编号：7005201 课程学分：4学分 课程学时：64学时 适用专业：微电子学 《半导体工艺原理与技术》 Technology and Theory of Semiconductor Manufacturing Process 教学大纲 课程性质与教学目标 性质：本大纲适用于信息工程学院微电子学系《半导体工艺原理与技术》课程，为专业基础必修课。 教学目标：通过本课程学习，使学生对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。 教学基本内容及基本要求 第一章 绪论 （一）基本要求 1、掌握：双极与CMOS工艺的基本工艺流程。 2、理解：集成电路工艺分类。 3、了解：半导体工艺发展历史。 （二）教学及考核内容 1.1简介 1.2半导体物理与器件常识 1.3集成电路工艺分类 1.4常见工艺的基本工艺流程 1.5最新进展与展望 第二章 衬底材料 （一）基本要求 1、掌握：晶体生长技术（直拉法、区熔法），硅圆片制备及规格，晶体缺陷，硅中杂质，半导体特性参数基本测试方法。 2、理解：半导体材料的基本性质及制备工艺。 3、了解：新型半导体材料的性质及应用。 （二）教学及考核内容 2.1硅材料性能 2.2硅晶体结构 2.3硅单晶拉制 2.4硅晶圆片制备 2.5硅片质量参数检测 第三章 氧化 （一）基本要求 1、掌握：氧化工艺的工艺参数测试及质量控制方法。 2、理解：氧化层的结构及性质，氧化工艺的基本原理及各种常用氧化工艺步骤。 3、了解：氧化工艺的目的及最近发展，氧化工艺的计算机模拟。 （二）教学及考核内容 3.1 SiO2在集成电路制造中的应用 3.2 SiO2的结构和性质 3.3 氧化模型 3.4 系统组成 3.5 LSI及VLSI中的氧化技术 3.6 SiO2质量测量方法 第四章 扩散 （一）基本要求 1、掌握：掌握杂质扩散机理，扩散系数和扩散方程，扩散杂质分布，扩散结果测量。 2、理解：扩散工艺的基本原理及系统组成与基本工艺步骤。 3、了解：扩散工艺的目的及最近发展，扩散工艺的计算机模拟。 （二）教学及考核内容 4.1 引言 4.2 扩散机理 4.3 扩散方程及其解 4.4 影响杂质浓度分布的其他因素 4.5 扩散方法 4.6 扩散层质量检验 第五章 离子注入 （一）基本要求 1、掌握：注入离子的分布与沟道效应，注入损伤与退火，参数测量与控制。 2、理解：离子注入工艺的基本原理及系统组成。 3、了解：离子注入的特点及应用，离子注入工艺的计算机模拟。 （二）教学及考核内容 5.1 前言 5.2 离子注入系统 5.3 离子注入原理 5.4 离子注入损伤及其退火处理 5.5 离子注入在集成电路中的应用 第六章 光刻 （一）基本要求 1、掌握：光刻工艺参数测试及质量控制方法。 2、理解：光学光刻基本原理及系统组成与基本工艺步骤。 3、了解：非光学等新型光刻技术的进展。 （二）教学及考核内容 6.1 引言 6.2 光刻工艺流程 6.3 光刻光学 6.4 光致抗蚀剂 6.5 先进的曝光技术 6.6 掩膜版设计与制造 第七章 物理汽相淀积 （一）基本要求 1、掌握：常见材料的物理气相淀积方法及参数测量和质量控制。 2、理解：蒸发和溅射工艺的基本原理及系统组成。 3、了解：蒸发和溅射工艺的目的与作用。 （二）教学及考核内容 7.1蒸发系统组成与原理 7.2溅射系统组成与原理 7.3常见材料的物理气相淀积 7.4参数测量与控制 7.5形貌和台阶覆盖 第八章 化学汽相淀积(CVD) （一）基本要求 1、掌握：常见材料的淀积方法及其应用，参数测量和质量控制。 2、理解：化学汽相淀积工艺的基本原理、分类及系统组成。 3、了解：化学汽相淀积工艺目的与作用。 （二）教学及考核内容 8.1 CVD基本模型及模拟 8.2 CVD系统分类与组成 8.3常见材料的淀积及其应用 8.4参数测量与控制 第九章 刻蚀 （一）基本要求 1、掌握：常用材料的刻蚀方法。 2、理解：湿法和干法刻蚀的基本原理及系统组成与基本工艺步骤。 3、了解：刻蚀技术在微电子技术中的应用。 （二）教学及考核内容 9.1湿法刻蚀 9.2常见材料的湿法刻蚀 9.3干法刻蚀基本原理与分类 9.4常见材料的干法刻蚀 第十章 工艺集成技术 （一）基本要求 1、掌握：常见的集成工艺技术流程。 2、理解：工艺集成基本技术的原理及工艺组成。 3、了解：了解工艺集成的最新发展。 （二）教学及考核内容 10.1 多层金属布线和平坦化 10.2 隔离技术 10.3双极工艺 10.4 CMOS工艺 10.5 BiCMOS工艺